DMC1015UPD-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 12V 9.5A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1495pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 21.11 грн |
| 5000+ | 18.75 грн |
| 7500+ | 17.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMC1015UPD-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMC1015UPD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.5 A, 9.5 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85411000, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції DMC1015UPD-13 за ціною від 21.47 грн до 82.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMC1015UPD-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 12V/20V 9.5A/6.8A 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DMC1015UPD-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 12V 9.5A PWRDI50 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 6.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1495pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 |
на замовлення 8159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DMC1015UPD-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC1015UPD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.5 A, 9.5 A, 0.017 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
DMC1015UPD-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V |
на замовлення 104 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
DMC1015UPD-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC1015UPD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.5 A, 9.5 A, 0.017 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMC1015UPD-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 12V/20V 9.5A/6.8A 8-Pin PowerDI EP T/R
Trans MOSFET N/P-CH 12V/20V 9.5A/6.8A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 25.82 грн |
| DMC1015UPD-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 12V 9.5A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1495pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Description: MOSFET N/P-CH 12V 9.5A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1495pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
на замовлення 8159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 82.36 грн |
| 10+ | 49.59 грн |
| 100+ | 32.54 грн |
| 500+ | 23.68 грн |
| 1000+ | 21.47 грн |
| DMC1015UPD-13 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC1015UPD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.5 A, 9.5 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - DMC1015UPD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.5 A, 9.5 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMC1015UPD-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMC1015UPD-13 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC1015UPD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.5 A, 9.5 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - DMC1015UPD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.5 A, 9.5 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)