DMC1015UPD-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 12V 9.5A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1495pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 20.41 грн |
| 5000+ | 18.62 грн |
| 12500+ | 17.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMC1015UPD-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMC1015UPD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.5 A, 9.5 A, 0.0096 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0096ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0096ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMC1015UPD-13 за ціною від 19.03 грн до 63.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMC1015UPD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC1015UPD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.5 A, 9.5 A, 0.0096 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0096ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0096ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMC1015UPD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 12V 9.5A PWRDI50 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 6.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1495pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 |
на замовлення 32279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMC1015UPD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V |
на замовлення 2656 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMC1015UPD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC1015UPD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.5 A, 9.5 A, 0.0096 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0096ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0096ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMC1015UPD-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N/P-CH 12V/20V 9.5A/6.8A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |