
на замовлення 4470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 62.59 грн |
10+ | 49.12 грн |
100+ | 29.58 грн |
500+ | 24.75 грн |
1000+ | 22.56 грн |
2500+ | 18.79 грн |
5000+ | 18.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMC1016UPD-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.3W, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 8.7A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1454pF @ 6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 8V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Part Status: Active.
Інші пропозиції DMC1016UPD-13 за ціною від 30.98 грн до 64.49 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMC1016UPD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 8.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1454pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active |
на замовлення 846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
DMC1016UPD-13 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
DMC1016UPD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 8.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1454pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active |
товару немає в наявності |