DMC1016UPD-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 8.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1454pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 62.57 грн |
| 10+ | 52.85 грн |
| 100+ | 40.52 грн |
| 500+ | 30.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMC1016UPD-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.3W, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 8.7A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1454pF @ 6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 8V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Part Status: Active.
Інші пропозиції DMC1016UPD-13 за ціною від 18.60 грн до 63.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMC1016UPD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V |
на замовлення 4671 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMC1016UPD-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N/P-CH 12V/20V 9.5A/8.7A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMC1016UPD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 8.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1454pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active |
товару немає в наявності |