DMC1018UPD-13

DMC1018UPD-13 Diodes Incorporated


DMC1018UPD.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 12V 9.5A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMC1018UPD-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N/P-CH 12V 9.5A PWRDI50, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.3W, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 6.9A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4nC @ 8V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMC1018UPD-13 за ціною від 16.99 грн до 62.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMC1018UPD-13 DMC1018UPD-13 Виробник : Diodes Incorporated DMC1018UPD.pdf Description: MOSFET N/P-CH 12V 9.5A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.61 грн
10+37.75 грн
100+25.98 грн
500+21.11 грн
1000+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1018UPD-13 DMC1018UPD-13 Виробник : Diodes Incorporated DMC1018UPD.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.52 грн
10+42.10 грн
100+25.19 грн
500+19.99 грн
1000+18.23 грн
2500+16.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1018UPD-13 DMC1018UPD-13 Виробник : Diodes Inc dmc1018upd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 12V/20V 9.5A/6.9A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.