Продукція > DIODES INC. > DMC1018UPDWQ-13
DMC1018UPDWQ-13

DMC1018UPDWQ-13 DIODES INC.

DIOD-S-A0012994375-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC1018UPDWQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 31.3 A, 31.3 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 31.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 31.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.97 грн
500+21.77 грн
1000+18.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMC1018UPDWQ-13 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMC1018UPDWQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 31.3 A, 31.3 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 31.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 31.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMC1018UPDWQ-13 за ціною від 16.76 грн до 82.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMC1018UPDWQ-13 DMC1018UPDWQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMC1018UPDWQ.pdf Description: MOSFET N/P-CH 12V 10A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 31.3A (Ta), 6.7A (Ta), 20.9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 6V, 866pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V, 38mOhm @ 8.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4nC @ 8V, 19nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.01 грн
10+46.17 грн
100+30.23 грн
500+21.93 грн
1000+19.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1018UPDWQ-13 DMC1018UPDWQ-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0012994375-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC1018UPDWQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 31.3 A, 31.3 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 31.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 31.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+80.55 грн
18+50.32 грн
100+32.97 грн
500+21.77 грн
1000+18.18 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1018UPDWQ-13 DMC1018UPDWQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMC1018UPDWQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+82.97 грн
10+51.15 грн
100+29.09 грн
500+22.51 грн
1000+20.44 грн
2500+17.53 грн
5000+16.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1018UPDWQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMC1018UPDWQ.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET
Type of transistor: N/P-MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1018UPDWQ-13 DMC1018UPDWQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMC1018UPDWQ.pdf Description: MOSFET N/P-CH 12V 10A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 31.3A (Ta), 6.7A (Ta), 20.9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 6V, 866pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V, 38mOhm @ 8.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4nC @ 8V, 19nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.