Продукція > DIODES INCORPORATED > DMC1030UFDB-7
DMC1030UFDB-7

DMC1030UFDB-7 Diodes Incorporated

DMC1030UFDB.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 12V 5.1A 6UDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta), 3.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 1.36W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+10.43 грн
6000+9.19 грн
9000+8.75 грн
15000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMC1030UFDB-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMC1030UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.034 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції DMC1030UFDB-7 за ціною від 8.02 грн до 51.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMC1030UFDB-7 DMC1030UFDB-7 DIODES INC. 3199732.pdf Description: DIODES INC. - DMC1030UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.59 грн
500+13.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1030UFDB-7 DMC1030UFDB-7 Diodes Incorporated DIOD_S_A0009865560_1-2543520.pdf MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 6959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.26 грн
14+24.67 грн
100+14.84 грн
500+11.67 грн
1000+9.99 грн
3000+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1030UFDB-7 DMC1030UFDB-7 Diodes Incorporated DMC1030UFDB.pdf Description: MOSFET N/P-CH 12V 5.1A 6UDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta), 3.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 1.36W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 29584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.89 грн
11+27.73 грн
100+17.77 грн
500+12.67 грн
1000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1030UFDB-7 DMC1030UFDB-7 DIODES INC. 3199732.pdf Description: DIODES INC. - DMC1030UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.53 грн
26+32.00 грн
100+20.59 грн
500+13.33 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1030UFDB-7 3199732.pdf
DMC1030UFDB-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC1030UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+20.59 грн
500+13.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1030UFDB-7 DIOD_S_A0009865560_1-2543520.pdf
DMC1030UFDB-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 6959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
11+31.26 грн
14+24.67 грн
100+14.84 грн
500+11.67 грн
1000+9.99 грн
3000+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1030UFDB-7 DMC1030UFDB.pdf
DMC1030UFDB-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 12V 5.1A 6UDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta), 3.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 1.36W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 29584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+45.89 грн
11+27.73 грн
100+17.77 грн
500+12.67 грн
1000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1030UFDB-7 3199732.pdf
DMC1030UFDB-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC1030UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+51.53 грн
26+32.00 грн
100+20.59 грн
500+13.33 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.