DMC1030UFDB-7 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC1030UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 17.91 грн |
| 500+ | 11.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMC1030UFDB-7 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC1030UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMC1030UFDB-7 за ціною від 8.39 грн до 48.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMC1030UFDB-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC1030UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.017 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMC1030UFDB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V |
на замовлення 6959 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMC1030UFDB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 12V 5.1A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.36W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta), 3.9A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMC1030UFDB-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMC1030UFDB-7 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
DMC1030UFDB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 12V 5.1A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.36W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta), 3.9A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |