DMC1030UFDBQ-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 12V 5.1A 6UDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1003pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 1.36W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.74 грн |
| 6000+ | 13.05 грн |
| 9000+ | 12.46 грн |
| 15000+ | 11.08 грн |
| 21000+ | 10.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMC1030UFDBQ-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMC1030UFDBQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.034 ohm, tariffCode: 85411000, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції DMC1030UFDBQ-7 за ціною від 15.45 грн до 61.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMC1030UFDBQ-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 12V 5.1A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.36W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1003pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 100070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DMC1030UFDBQ-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: |
на замовлення 27219 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
DMC1030UFDBQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC1030UFDBQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.034 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMC1030UFDBQ-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 12V 5.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.36W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1003pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N/P-CH 12V 5.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.36W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1003pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 100070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 61.22 грн |
| 10+ | 36.56 грн |
| 100+ | 23.78 грн |
| 500+ | 17.12 грн |
| 1000+ | 15.45 грн |
| DMC1030UFDBQ-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS:
MOSFETs MOSFET BVDSS:
на замовлення 27219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMC1030UFDBQ-7 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC1030UFDBQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - DMC1030UFDBQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)