на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMC1229UFDB-7 Diodes Inc
Description: DIODES INC. - DMC1229UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMC1229UFDB-7 за ціною від 9.92 грн до 57.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMC1229UFDB-7 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N/P-CH 12V 5.6A/3.8A 6-Pin UDFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMC1229UFDB-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 12V 5.6A/3.8A 6-Pin UDFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMC1229UFDB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A, 3.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 222000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMC1229UFDB-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC1229UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.017 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMC1229UFDB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs Comp ENH Mode FET 12V Vdss 8V VGss |
на замовлення 3711 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMC1229UFDB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A, 3.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 224325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMC1229UFDB-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC1229UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.017 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMC1229UFDB-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 12V 5.6A/3.8A 6-Pin UDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
DMC1229UFDB-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 12V 5.6A/3.8A 6-Pin UDFN EP T/R |
товару немає в наявності |