DMC2004LPK-7 Diodes Zetex
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMC2004LPK-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMC2004LPK-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 750 mA, 750 mA, 0.4 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 750mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: X1-DFN1612, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMC2004LPK-7 за ціною від 7.82 грн до 48.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMC2004LPK-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A 6DFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA, 600mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1612-6 Part Status: Active |
на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMC2004LPK-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC2004LPK-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 750 mA, 750 mA, 0.4 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 750mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: X1-DFN1612 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMC2004LPK-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC2004LPK-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 750 mA, 750 mA, 0.4 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 750mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: X1-DFN1612 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMC2004LPK-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs Complementary |
на замовлення 5214 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMC2004LPK-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA, 600mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1612-6 Part Status: Active |
на замовлення 121093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMC2004LPK-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin X1-DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
DMC2004LPK-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin X1-DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
DMC2004LPK-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| DMC2004LPK-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Mounting: SMD Case: X1-DFN1612-6 Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.6/-0.75A On-state resistance: 0.55/0.9Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Version: ESD Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| DMC2004LPK-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Mounting: SMD Case: X1-DFN1612-6 Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.6/-0.75A On-state resistance: 0.55/0.9Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Version: ESD Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V |
товару немає в наявності |