Продукція > DIODES INCORPORATED > DMC2004LPK-7
DMC2004LPK-7

DMC2004LPK-7 Diodes Incorporated

ds30854.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A 6DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1612-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA, 600mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.21 грн
6000+9.68 грн
9000+9.22 грн
15000+8.25 грн
21000+7.87 грн
30000+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMC2004LPK-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMC2004LPK-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 750 mA, 750 mA, 0.55 ohm, tariffCode: 85411000, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 750mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: X1-DFN1612, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.55ohm, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції DMC2004LPK-7 за ціною від 11.61 грн до 47.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMC2004LPK-7 DMC2004LPK-7 Diodes Incorporated ds30854.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA, 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1612-6
Part Status: Active
на замовлення 121093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.27 грн
11+28.28 грн
100+18.16 грн
500+12.94 грн
1000+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2004LPK-7 DMC2004LPK-7 Diodes Incorporated ds30854.pdf MOSFETs Complementary
на замовлення 5214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2004LPK-7 DMC2004LPK-7 DIODES INC. DIOD-S-A0009690011-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC2004LPK-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 750 mA, 750 mA, 0.55 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X1-DFN1612
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.55ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2004LPK-7 DMC2004LPK-7 DIODES INC. ds30854.pdf Description: DIODES INC. - DMC2004LPK-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 750 mA, 750 mA, 0.55 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X1-DFN1612
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.55ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2004LPK-7 ds30854.pdf
DMC2004LPK-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA, 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1612-6
Part Status: Active
на замовлення 121093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+47.27 грн
11+28.28 грн
100+18.16 грн
500+12.94 грн
1000+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2004LPK-7 ds30854.pdf
DMC2004LPK-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs Complementary
на замовлення 5214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2004LPK-7 DIOD-S-A0009690011-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMC2004LPK-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC2004LPK-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 750 mA, 750 mA, 0.55 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X1-DFN1612
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.55ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2004LPK-7 ds30854.pdf
DMC2004LPK-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC2004LPK-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 750 mA, 750 mA, 0.55 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X1-DFN1612
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.55ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.