на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMC2025UFDB-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMC2025UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.025 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMC2025UFDB-7 за ціною від 6.12 грн до 43.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMC2025UFDB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N/P-CH 20V 6A 6UDFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 3.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486pF @ 10V, 642pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V, 75mOhm @ 2.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 15nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Part Status: Active |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMC2025UFDB-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC2025UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.025 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMC2025UFDB-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC2025UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.025 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMC2025UFDB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 3.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486pF @ 10V, 642pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V, 75mOhm @ 2.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 15nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Part Status: Active |
на замовлення 36857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMC2025UFDB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K |
на замовлення 5321 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMC2025UFDB-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 6A/3.5A 6-Pin UDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMC2025UFDB-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 6A/3.5A 6-Pin UDFN EP T/R |
товару немає в наявності |