DMC2038LVTQ-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A TSOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 2.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 10V, 705pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V, 74mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V, 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.06 грн |
| 6000+ | 8.09 грн |
| 9000+ | 7.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMC2038LVTQ-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMC2038LVTQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.027 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 800mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 800mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMC2038LVTQ-7 за ціною від 8.02 грн до 47.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMC2038LVTQ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC2038LVTQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.027 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm Verlustleistung, p-Kanal: 800mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 800mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 11665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMC2038LVTQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.1A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R |
на замовлення 5998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMC2038LVTQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N/P-MOSFET Case: TSOT26 Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.056/0.168Ω Power dissipation: 0.5W Drain current: 3/-2.1A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20/-20V Kind of package: 7 inch reel; tape Application: automotive industry |
на замовлення 1657 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMC2038LVTQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.1A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R |
на замовлення 5998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMC2038LVTQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A TSOT23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 800mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 2.6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 10V, 705pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V, 74mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V, 10nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-23-6 Part Status: Not For New Designs Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 15410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMC2038LVTQ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC2038LVTQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.027 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm Verlustleistung, p-Kanal: 800mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 800mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 11665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMC2038LVTQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N/P-MOSFET Case: TSOT26 Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.056/0.168Ω Power dissipation: 0.5W Drain current: 3/-2.1A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20/-20V Kind of package: 7 inch reel; tape Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1657 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| DMC2038LVTQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R 3K |
на замовлення 5906 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
 |
DMC2038LVTQ-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.1A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
DMC2038LVTQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.1A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R |
товару немає в наявності |