DMC2041UFDB-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 4.7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 713pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 21.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMC2041UFDB-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMC2041UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.023 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMC2041UFDB-7 за ціною від 18.72 грн до 93.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMC2041UFDB-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.7A/3.2A 6-Pin UDFN EP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMC2041UFDB-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC2041UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.023 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMC2041UFDB-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC2041UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.023 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMC2041UFDB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.7A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 713pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Part Status: Active |
на замовлення 8539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMC2041UFDB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 20V Complementary 12Vgs 0.6mm ESD |
на замовлення 2958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMC2041UFDB-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.7A/3.2A 6-Pin UDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMC2041UFDB-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.7A/3.2A 6-Pin UDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMC2041UFDB-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.7A/3.2A 6-Pin UDFN EP T/R |
товару немає в наявності |