DMC25D0UVT-7 Diodes Incorporated


DMC25D0UVT.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.2pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Part Status: Active
на замовлення 291000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+10.50 грн
6000+9.25 грн
9000+8.81 грн
15000+7.80 грн
21000+7.53 грн
30000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMC25D0UVT-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA, 3.2A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.2pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 8V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TSOT-23-6, Part Status: Active.

Інші пропозиції DMC25D0UVT-7 за ціною від 8.86 грн до 46.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMC25D0UVT-7 DMC25D0UVT-7 Diodes Incorporated DMC25D0UVT.pdf MOSFET 20V Enh Mode FET
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.26 грн
13+26.85 грн
100+17.44 грн
500+13.64 грн
1000+10.62 грн
3000+9.63 грн
9000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC25D0UVT-7 DMC25D0UVT-7 Diodes Incorporated DMC25D0UVT.pdf Description: MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.2pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Part Status: Active
на замовлення 291646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.68 грн
11+27.88 грн
100+17.90 грн
500+12.75 грн
1000+11.45 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC25D0UVT-7 DMC25D0UVT.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET 20V Enh Mode FET
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
11+31.26 грн
13+26.85 грн
100+17.44 грн
500+13.64 грн
1000+10.62 грн
3000+9.63 грн
9000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC25D0UVT-7 DMC25D0UVT.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.2pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Part Status: Active
на замовлення 291646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+46.68 грн
11+27.88 грн
100+17.90 грн
500+12.75 грн
1000+11.45 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.