Продукція > DIODES INCORPORATED > DMC25D0UVT-7
DMC25D0UVT-7

DMC25D0UVT-7 Diodes Incorporated

DMC25D0UVT.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.2pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Part Status: Active
на замовлення 291000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.27 грн
6000+9.04 грн
9000+8.61 грн
15000+7.63 грн
21000+7.36 грн
30000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMC25D0UVT-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMC25D0UVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 400 mA, 400 mA, 4 ohm, tariffCode: 85411000, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції DMC25D0UVT-7 за ціною від 11.19 грн до 45.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMC25D0UVT-7 DMC25D0UVT-7 Diodes Incorporated DMC25D0UVT.pdf Description: MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.2pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Part Status: Active
на замовлення 291646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.62 грн
11+27.25 грн
100+17.49 грн
500+12.46 грн
1000+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC25D0UVT-7 DMC25D0UVT-7 Diodes Incorporated DMC25D0UVT.pdf MOSFET 20V Enh Mode FET
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC25D0UVT-7 DMC25D0UVT-7 DIODES INC. DMC25D0UVT.pdf Description: DIODES INC. - DMC25D0UVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 400 mA, 400 mA, 4 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC25D0UVT-7 DMC25D0UVT-7 DIODES INC. DMC25D0UVT.pdf Description: DIODES INC. - DMC25D0UVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 400 mA, 400 mA, 4 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC25D0UVT-7 DMC25D0UVT.pdf
DMC25D0UVT-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.2pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Part Status: Active
на замовлення 291646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+45.62 грн
11+27.25 грн
100+17.49 грн
500+12.46 грн
1000+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC25D0UVT-7 DMC25D0UVT.pdf
DMC25D0UVT-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET 20V Enh Mode FET
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC25D0UVT-7 DMC25D0UVT.pdf
DMC25D0UVT-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC25D0UVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 400 mA, 400 mA, 4 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC25D0UVT-7 DMC25D0UVT.pdf
DMC25D0UVT-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC25D0UVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 400 mA, 400 mA, 4 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.