DMC25D1UVT-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 3.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.32 грн |
| 6000+ | 9.97 грн |
| 9000+ | 9.50 грн |
| 15000+ | 8.41 грн |
| 21000+ | 8.11 грн |
| 30000+ | 7.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMC25D1UVT-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMC25D1UVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 500 mA, 500 mA, 4 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DMC25D1UVT-7 за ціною від 9.29 грн до 52.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMC25D1UVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 25V/12V 0.5A/3.9A 6-Pin TSOT-26 T/R |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMC25D1UVT-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC25D1UVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 500 mA, 500 mA, 4 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMC25D1UVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 25V/12V 0.5A/3.9A 6-Pin TSOT-26 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMC25D1UVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 25V/12V 0.5A/3.9A 6-Pin TSOT-26 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMC25D1UVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 25V/12V 0.5A/3.9A 6-Pin TSOT-26 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMC25D1UVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 25V/12V 0.5A/3.9A 6-Pin TSOT-26 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMC25D1UVT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 3.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 |
на замовлення 69841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMC25D1UVT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 20V Enh Mode FET |
на замовлення 9322 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMC25D1UVT-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC25D1UVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 500 mA, 500 mA, 4 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|