DMC25D1UVT-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 3.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.17 грн |
| 6000+ | 9.84 грн |
| 9000+ | 9.37 грн |
| 15000+ | 8.30 грн |
| 21000+ | 8.00 грн |
| 30000+ | 7.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMC25D1UVT-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMC25D1UVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 500 mA, 500 mA, 4 ohm, tariffCode: 85411000, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції DMC25D1UVT-7 за ціною від 11.80 грн до 48.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMC25D1UVT-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 25V/12V 0.5A/3.9A 6-Pin TSOT-26 T/R |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DMC25D1UVT-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 25V/12V 0.5A/3.9A 6-Pin TSOT-26 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DMC25D1UVT-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 25V/12V 0.5A/3.9A 6-Pin TSOT-26 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DMC25D1UVT-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 25V/12V 0.5A/3.9A 6-Pin TSOT-26 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DMC25D1UVT-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 25V/12V 0.5A/3.9A 6-Pin TSOT-26 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DMC25D1UVT-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 3.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 |
на замовлення 69841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DMC25D1UVT-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs 20V Enh Mode FET |
на замовлення 9322 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
DMC25D1UVT-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC25D1UVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 500 mA, 500 mA, 4 ohmtariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
DMC25D1UVT-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC25D1UVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 500 mA, 500 mA, 4 ohmtariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMC25D1UVT-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 25V/12V 0.5A/3.9A 6-Pin TSOT-26 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 25V/12V 0.5A/3.9A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.47 грн |
| DMC25D1UVT-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 25V/12V 0.5A/3.9A 6-Pin TSOT-26 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 25V/12V 0.5A/3.9A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.02 грн |
| 9000+ | 12.15 грн |
| DMC25D1UVT-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 25V/12V 0.5A/3.9A 6-Pin TSOT-26 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 25V/12V 0.5A/3.9A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.02 грн |
| 9000+ | 12.16 грн |
| DMC25D1UVT-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 25V/12V 0.5A/3.9A 6-Pin TSOT-26 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 25V/12V 0.5A/3.9A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 402+ | 20.80 грн |
| 1000+ | 18.73 грн |
| 3000+ | 15.91 грн |
| 9000+ | 14.07 грн |
| DMC25D1UVT-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 25V/12V 0.5A/3.9A 6-Pin TSOT-26 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 25V/12V 0.5A/3.9A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 680+ | 20.80 грн |
| DMC25D1UVT-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 3.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Description: MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 3.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
на замовлення 69841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 48.04 грн |
| 11+ | 28.73 грн |
| 100+ | 18.46 грн |
| 500+ | 13.15 грн |
| 1000+ | 11.80 грн |
| DMC25D1UVT-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 20V Enh Mode FET
MOSFETs 20V Enh Mode FET
на замовлення 9322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMC25D1UVT-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC25D1UVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 500 mA, 500 mA, 4 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - DMC25D1UVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 500 mA, 500 mA, 4 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMC25D1UVT-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC25D1UVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 500 mA, 500 mA, 4 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - DMC25D1UVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 500 mA, 500 mA, 4 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




