DMC3016LDV-13

DMC3016LDV-13 Diodes Zetex


3849dmc3016ldv.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 21A/15A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMC3016LDV-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMC3016LDV-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 21 A, 21 A, 0.0095 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0095ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 900mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerDI3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 900mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMC3016LDV-13 за ціною від 16.40 грн до 73.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMC3016LDV-13 DMC3016LDV-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002833445-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC3016LDV-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 21 A, 21 A, 0.0095 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.34 грн
500+20.90 грн
1000+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LDV-13 DMC3016LDV-13 Виробник : Diodes Incorporated DMC3016LDV.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS 31V-40V
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.05 грн
10+42.60 грн
100+25.70 грн
500+21.45 грн
1000+18.23 грн
3000+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LDV-13 DMC3016LDV-13 Виробник : DIODES INC. DMC3016LDV.pdf Description: DIODES INC. - DMC3016LDV-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 21 A, 21 A, 0.0095 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+56.42 грн
18+47.06 грн
100+29.48 грн
500+22.88 грн
1000+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LDV-13 DMC3016LDV-13 Виробник : Diodes Incorporated DMC3016LDV.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 21A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), 15A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 10V, 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.65 грн
10+44.61 грн
100+29.14 грн
500+21.11 грн
1000+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LDV-13 Виробник : Diodes Inc 3849dmc3016ldv.pdf Complementary Pair Enhancement Mode MOSFET Power DI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LDV-13 DMC3016LDV-13 Виробник : Diodes Zetex 3849dmc3016ldv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 21A/15A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LDV-13 DMC3016LDV-13 Виробник : Diodes Incorporated DMC3016LDV.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 21A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), 15A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 10V, 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.