DMC3016LSD-13 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3016LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 26.27 грн |
| 500+ | 19.11 грн |
| 1000+ | 12.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMC3016LSD-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3016LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.012 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMC3016LSD-13 за ціною від 11.82 грн до 59.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMC3016LSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Mounting: SMD Case: SO8 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 8.2/-6.2A On-state resistance: 0.028/0.016Ω Power dissipation: 1.2W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Type of transistor: N/P-MOSFET |
на замовлення 577 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMC3016LSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Mounting: SMD Case: SO8 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 8.2/-6.2A On-state resistance: 0.028/0.016Ω Power dissipation: 1.2W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Type of transistor: N/P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 577 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMC3016LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V N & P Comp FET Enh 2.3Vgs 25nC 22nC |
на замовлення 4934 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMC3016LSD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3016LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.012 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMC3016LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A, 6.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 12A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 5098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMC3016LSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
DMC3016LSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
DMC3016LSD-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
DMC3016LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A, 6.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 12A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
товару немає в наявності |