Продукція > DIODES ZETEX > DMC3025LSD-13
DMC3025LSD-13

DMC3025LSD-13 Diodes Zetex

446dmc3025lsd.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMC3025LSD-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMC3025LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.015 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMC3025LSD-13 за ціною від 8.60 грн до 57.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMC3025LSD-13 DMC3025LSD-13 Виробник : Diodes Zetex 446dmc3025lsd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LSD-13 DMC3025LSD-13 Виробник : Diodes Zetex 446dmc3025lsd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 810000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LSD-13 DMC3025LSD-13 Виробник : Diodes Incorporated DMC3025LSD.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 501pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+12.02 грн
5000+10.55 грн
7500+10.07 грн
12500+8.92 грн
17500+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LSD-13 DMC3025LSD-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0000449406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC3025LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.21 грн
500+15.40 грн
1000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LSD-13 DMC3025LSD-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0000449406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC3025LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+40.44 грн
25+34.08 грн
100+21.21 грн
500+15.40 грн
1000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LSD-13 DMC3025LSD-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMC3025LSD-13.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 5.5/-8.5A
On-state resistance: 0.02/0.045Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+43.74 грн
15+26.82 грн
80+11.50 грн
219+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LSD-13 DMC3025LSD-13 Виробник : Diodes Incorporated DMC3025LSD.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 501pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 23572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.73 грн
10+30.88 грн
100+19.85 грн
500+14.18 грн
1000+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LSD-13 DMC3025LSD-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMC3025LSD-13.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 5.5/-8.5A
On-state resistance: 0.02/0.045Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.49 грн
10+33.42 грн
80+13.79 грн
219+13.06 грн
2500+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LSD-13 DMC3025LSD-13 Виробник : Diodes Incorporated DMC3025LSD.pdf MOSFETs 30V Comp ENH Mode 25 to 30V MosFET
на замовлення 4185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+57.08 грн
10+34.86 грн
100+19.79 грн
500+14.93 грн
1000+13.46 грн
2500+10.45 грн
10000+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LSD-13 Виробник : DIODES/ZETEX DMC3025LSD.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A Automotive 8-Pin SO T/R DMC3025LSD DMC3025LSD TDMC3025LSD
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
60+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LSD-13 DMC3025LSD-13 Виробник : Diodes Inc 446dmc3025lsd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3025LSD-13 DMC3025LSD-13 Виробник : Diodes Zetex 446dmc3025lsd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.