DMC3025LSD-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 501pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 12.75 грн |
| 5000+ | 11.22 грн |
| 7500+ | 10.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMC3025LSD-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMC3025LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.015 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMC3025LSD-13 за ціною від 10.25 грн до 63.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMC3025LSD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3025LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.015 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMC3025LSD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3025LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.015 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMC3025LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 4.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 501pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 8725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMC3025LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V Comp ENH Mode 25 to 30V MosFET |
на замовлення 4950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMC3025LSD-13 | Виробник : DIODES/ZETEX |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A Automotive 8-Pin SO T/R DMC3025LSD DMC3025LSD TDMC3025LSD кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DMC3025LSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMC3025LSD-13 Multi channel transistors |
на замовлення 2624 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
DMC3025LSD-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DMC3025LSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |