Технічний опис DMC3025LSDQ-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMC3025LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.02 ohm, tariffCode: 85411000, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції DMC3025LSDQ-13 за ціною від 16.50 грн до 90.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMC3025LSDQ-13 | Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DMC3025LSDQ-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DMC3025LSDQ-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R |
на замовлення 390000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DMC3025LSDQ-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DMC3025LSDQ-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A 8SO Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, 5.1nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.4A, 10V, 45mOhm @ 5.2A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 501pF @ 15V, 590pF @ 25V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-SO Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 4.2A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1.2W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DMC3025LSDQ-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V |
на замовлення 6732 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
DMC3025LSDQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3025LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.02 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
DMC3025LSDQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3025LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.02 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMC3025LSDQ-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 16.50 грн |
| DMC3025LSDQ-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 20.36 грн |
| DMC3025LSDQ-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 390000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 20.85 грн |
| DMC3025LSDQ-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 32.21 грн |
| 5000+ | 30.36 грн |
| DMC3025LSDQ-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A 8SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, 5.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.4A, 10V, 45mOhm @ 5.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 501pF @ 15V, 590pF @ 25V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 4.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A 8SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, 5.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.4A, 10V, 45mOhm @ 5.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 501pF @ 15V, 590pF @ 25V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 4.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 90.98 грн |
| 10+ | 54.55 грн |
| 25+ | 45.77 грн |
| 50+ | 37.84 грн |
| 100+ | 33.51 грн |
| DMC3025LSDQ-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 6732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMC3025LSDQ-13 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3025LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - DMC3025LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMC3025LSDQ-13 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3025LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - DMC3025LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)