DMC3025LSDQ-13 Diodes Zetex
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 14.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMC3025LSDQ-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMC3025LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.015 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMC3025LSDQ-13 за ціною від 15.88 грн до 91.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMC3025LSDQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMC3025LSDQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R |
на замовлення 390000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMC3025LSDQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMC3025LSDQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 4.2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 501pF @ 15V, 590pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.4A, 10V, 45mOhm @ 5.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, 5.1nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 477500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMC3025LSDQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMC3025LSDQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3025LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.015 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMC3025LSDQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 4.2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 501pF @ 15V, 590pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.4A, 10V, 45mOhm @ 5.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, 5.1nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 480161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMC3025LSDQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V |
на замовлення 12511 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMC3025LSDQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3025LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.015 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMC3025LSDQ-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A Automotive 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |