Продукція > DIODES INC. > DMC3026LSD-13
DMC3026LSD-13

DMC3026LSD-13 DIODES INC.

DIOD-S-A0002499289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3026LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+30.19 грн
500+21.56 грн
1000+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMC3026LSD-13 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMC3026LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.025 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMC3026LSD-13 за ціною від 13.85 грн до 79.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMC3026LSD-13 DMC3026LSD-13 Diodes Incorporated DMC3026LSD.pdf MOSFETs 30V N & P Comp FET Enh 20Vgss Low Rdson
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.03 грн
10+41.08 грн
100+23.28 грн
500+17.93 грн
1000+16.17 грн
2500+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3026LSD-13 DMC3026LSD-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002499289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC3026LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+74.50 грн
18+46.36 грн
100+30.19 грн
500+21.56 грн
1000+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3026LSD-13 DMC3026LSD-13 Diodes Incorporated DMC3026LSD.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641pF @ 15V, 1241pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V, 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V, 10.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.12 грн
10+47.62 грн
100+31.18 грн
500+22.64 грн
1000+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3026LSD-13 DMC3026LSD.pdf
DMC3026LSD-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V N & P Comp FET Enh 20Vgss Low Rdson
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+67.03 грн
10+41.08 грн
100+23.28 грн
500+17.93 грн
1000+16.17 грн
2500+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3026LSD-13 DIOD-S-A0002499289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMC3026LSD-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3026LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+74.50 грн
18+46.36 грн
100+30.19 грн
500+21.56 грн
1000+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3026LSD-13 DMC3026LSD.pdf
DMC3026LSD-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641pF @ 15V, 1241pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V, 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V, 10.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+79.12 грн
10+47.62 грн
100+31.18 грн
500+22.64 грн
1000+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.