на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 15.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMC3026LSD-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMC3026LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.019 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMC3026LSD-13 за ціною від 12.65 грн до 72.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMC3026LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.2A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641pF @ 15V, 1241pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V, 28mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V, 10.9nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMC3026LSD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3026LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.019 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMC3026LSD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3026LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.019 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMC3026LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.2A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641pF @ 15V, 1241pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V, 28mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V, 10.9nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 7351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMC3026LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V N & P Comp FET Enh 20Vgss Low Rdson |
на замовлення 3894 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMC3026LSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; 30V; 6.5A; 1.2W; SO8 Mounting: SMD Operating temperature: -55...150°C On-state resistance: 19mΩ Power dissipation: 1.2W Drain current: 6.5A Gate-source voltage: 20V Drain-source voltage: 30V Case: SO8 Kind of channel: enhancement Technology: MOSFET Type of transistor: N/P-MOSFET |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
DMC3026LSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/6.2A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DMC3026LSD-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/6.2A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |