DMC3028LSDXQ-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 5.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMC3028LSDXQ-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMC3028LSDXQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.027 ohm, tariffCode: 85411000, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції DMC3028LSDXQ-13 за ціною від 23.87 грн до 91.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMC3028LSDXQ-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DMC3028LSDXQ-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DMC3028LSDXQ-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DMC3028LSDXQ-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DMC3028LSDXQ-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 5.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 5977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DMC3028LSDXQ-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs Comp Pair Enh FET 30Vdss 20Vgss |
на замовлення 6365 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
DMC3028LSDXQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3028LSDXQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.027 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
DMC3028LSDXQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3028LSDXQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.027 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMC3028LSDXQ-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 23.87 грн |
| DMC3028LSDXQ-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 23.87 грн |
| DMC3028LSDXQ-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 27.29 грн |
| DMC3028LSDXQ-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 27.36 грн |
| DMC3028LSDXQ-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 5.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 5.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 5977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 91.71 грн |
| 10+ | 55.63 грн |
| 25+ | 46.74 грн |
| 50+ | 38.68 грн |
| 100+ | 34.30 грн |
| DMC3028LSDXQ-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs Comp Pair Enh FET 30Vdss 20Vgss
MOSFETs Comp Pair Enh FET 30Vdss 20Vgss
на замовлення 6365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMC3028LSDXQ-13 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3028LSDXQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - DMC3028LSDXQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMC3028LSDXQ-13 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3028LSDXQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - DMC3028LSDXQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)