DMC3032LFDB-13 DIODES INCORPORATED


DMC3032LFDB.pdf Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; 30V; 1.28W; U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Operating temperature: -55...150°C
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 1.28W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: MOSFET
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+10.86 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMC3032LFDB-13 DIODES INCORPORATED

Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.3A 6UDFN, Packaging: Bulk, Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel Complementary, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 800mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 3.4A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V, 336pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V, 70mOhm @ 3.8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V, 7.8nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B).

Інші пропозиції DMC3032LFDB-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMC3032LFDB-13 DMC3032LFDB-13 Виробник : Diodes Zetex dmc3032lfdb.pdf Complementary Pair Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3032LFDB-13 DMC3032LFDB-13 Виробник : Diodes Incorporated DMC3032LFDB.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.3A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 3.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V, 336pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V, 70mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V, 7.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3032LFDB-13 Виробник : Diodes Incorporated DMC3032LFDB-3240662.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.