Продукція > DIODES ZETEX > DMC3032LSD-13
DMC3032LSD-13

DMC3032LSD-13 Diodes Zetex

ds32153.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMC3032LSD-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMC3032LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.023 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMC3032LSD-13 за ціною від 8.36 грн до 57.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMC3032LSD-13 DMC3032LSD-13 Виробник : Diodes Zetex ds32153.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+9.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3032LSD-13 DMC3032LSD-13 Виробник : Diodes Zetex ds32153.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3032LSD-13 DMC3032LSD-13 Виробник : Diodes Incorporated ds32153.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404.5pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+12.10 грн
5000+9.70 грн
7500+9.66 грн
12500+8.98 грн
17500+8.66 грн
25000+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3032LSD-13 DMC3032LSD-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0006644035-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC3032LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.26 грн
500+15.40 грн
1000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3032LSD-13 DMC3032LSD-13 Виробник : Diodes Incorporated ds32153.pdf MOSFETs 30V VDSS 20V VGSS 2.5W PD COMP MOSFET
на замовлення 3963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.05 грн
12+31.21 грн
100+18.87 грн
500+14.70 грн
1000+11.98 грн
2500+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3032LSD-13 DMC3032LSD-13 Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B48E02924D1BF&compId=DMC3032LSD-13.pdf?ci_sign=529314cbf1ece74f9e6c10075b055c4745aab783 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Kind of transistor: complementary pair
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.032/0.039Ω
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 7/-8.1A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of package: 13 inch reel; tape
на замовлення 2201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+44.22 грн
13+31.03 грн
76+12.32 грн
208+11.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3032LSD-13 DMC3032LSD-13 Виробник : Diodes Incorporated ds32153.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404.5pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 46712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.48 грн
11+31.11 грн
100+19.98 грн
500+14.28 грн
1000+12.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3032LSD-13 DMC3032LSD-13 Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B48E02924D1BF&compId=DMC3032LSD-13.pdf?ci_sign=529314cbf1ece74f9e6c10075b055c4745aab783 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Kind of transistor: complementary pair
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.032/0.039Ω
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 7/-8.1A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of package: 13 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2201 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.06 грн
10+38.67 грн
76+14.78 грн
208+14.02 грн
2500+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3032LSD-13 DMC3032LSD-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0006644035-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC3032LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+57.65 грн
24+35.46 грн
100+22.79 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3032LSD-13 DMC3032LSD-13 Виробник : Diodes Zetex ds32153.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3032LSD-13 DMC3032LSD-13 Виробник : Diodes Inc ds32153.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.