Продукція > DIODES INCORPORATED > DMC3032LSD-13
DMC3032LSD-13

DMC3032LSD-13 Diodes Incorporated

ds32153.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V VDSS 20V VGSS 2.5W PD COMP MOSFET
на замовлення 3610 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+55.09 грн
10+33.13 грн
100+18.86 грн
500+14.40 грн
1000+12.77 грн
2500+10.91 грн
5000+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 6 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMC3032LSD-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMC3032LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.032 ohm, tariffCode: 85411000, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції DMC3032LSD-13 за ціною від 11.90 грн до 61.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMC3032LSD-13 DMC3032LSD-13 Diodes Incorporated ds32153.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404.5pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 2467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.07 грн
10+36.42 грн
25+30.40 грн
50+25.03 грн
100+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3032LSD-13 DMC3032LSD-13 DIODES INCORPORATED DMC3032LSD-13.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 7/-8.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 0.032/0.039Ω
на замовлення 2168 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+61.35 грн
12+37.11 грн
25+31.42 грн
50+27.56 грн
77+12.57 грн
210+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3032LSD-13 DMC3032LSD-13 DIODES INC. DIOD-S-A0006644035-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC3032LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3032LSD-13 DMC3032LSD-13 DIODES INC. DIOD-S-A0006644035-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC3032LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3032LSD-13 ds32153.pdf
DMC3032LSD-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404.5pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 2467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+61.07 грн
10+36.42 грн
25+30.40 грн
50+25.03 грн
100+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3032LSD-13 DMC3032LSD-13.pdf
DMC3032LSD-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 7/-8.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 0.032/0.039Ω
на замовлення 2168 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+61.35 грн
12+37.11 грн
25+31.42 грн
50+27.56 грн
77+12.57 грн
210+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3032LSD-13 DIOD-S-A0006644035-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMC3032LSD-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3032LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3032LSD-13 DIOD-S-A0006644035-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMC3032LSD-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3032LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.