DMC3032LSD-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404.5pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 11.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMC3032LSD-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMC3032LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.032 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DMC3032LSD-13 за ціною від 8.77 грн до 56.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMC3032LSD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3032LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.032 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMC3032LSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 7/-8.1A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.032/0.039Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMC3032LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A, 7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404.5pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
на замовлення 2704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMC3032LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V VDSS 20V VGSS 2.5W PD COMP MOSFET |
на замовлення 3610 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMC3032LSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 7/-8.1A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.032/0.039Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2180 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMC3032LSD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3032LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.032 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMC3032LSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |