DMC3060LVT-7

DMC3060LVT-7 Diodes Incorporated


DMC3060LVT.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.6A TSOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), 2.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 15V, 324pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Part Status: Active
на замовлення 372000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.61 грн
6000+ 7.95 грн
9000+ 7.15 грн
30000+ 6.61 грн
75000+ 6.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMC3060LVT-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.6A TSOT23-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel Complementary, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 830mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), 2.8A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 15V, 324pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: TSOT-23-6, Part Status: Active.

Інші пропозиції DMC3060LVT-7 за ціною від 6.68 грн до 34.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMC3060LVT-7 DMC3060LVT-7 Виробник : Diodes Incorporated DMC3060LVT.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.6A TSOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), 2.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 15V, 324pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Part Status: Active
на замовлення 374311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.78 грн
12+ 23.85 грн
100+ 14.3 грн
500+ 12.43 грн
1000+ 8.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMC3060LVT-7 DMC3060LVT-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0008524211_1-2543049.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R 3K
на замовлення 8043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.74 грн
12+ 26.49 грн
100+ 12.88 грн
1000+ 8.75 грн
3000+ 7.61 грн
9000+ 6.88 грн
24000+ 6.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMC3060LVT-7 Виробник : Diodes Zetex dmc3060lvt.pdf High Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMC3060LVT-7 Виробник : Diodes Inc dmc3060lvt.pdf High Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMC3060LVT-7 Виробник : Diodes Zetex dmc3060lvt.pdf High Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній