DMC31D5UDJ-7 Diodes Zetex
на замовлення 1020000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 9.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMC31D5UDJ-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMC31D5UDJ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 0.9 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 350mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-963, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 350mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMC31D5UDJ-7 за ціною від 8.39 грн до 48.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMC31D5UDJ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 200mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-963 Part Status: Active |
на замовлення 970000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMC31D5UDJ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC31D5UDJ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 0.9 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm Verlustleistung, p-Kanal: 350mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-963 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 350mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 8270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMC31D5UDJ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V N & P Enh FET Low RDSon 22.2pF |
на замовлення 24631 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMC31D5UDJ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC31D5UDJ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 0.9 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm Verlustleistung, p-Kanal: 350mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-963 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 350mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 7250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMC31D5UDJ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 200mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-963 Part Status: Active |
на замовлення 985307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMC31D5UDJ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.22A/0.2A 6-Pin SOT-963 T/R |
товару немає в наявності |