Продукція > DIODES INCORPORATED > DMC31D5UDJ-7
DMC31D5UDJ-7

DMC31D5UDJ-7 Diodes Incorporated

DMC31D5UDJ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 830000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+8.56 грн
20000+7.86 грн
30000+7.57 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMC31D5UDJ-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMC31D5UDJ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 1.5 ohm, tariffCode: 85411000, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 350mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-963, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 350mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції DMC31D5UDJ-7 за ціною від 8.77 грн до 44.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMC31D5UDJ-7 DMC31D5UDJ-7 Diodes Incorporated DMC31D5UDJ.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 833159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.94 грн
11+27.16 грн
100+17.44 грн
500+12.42 грн
1000+10.82 грн
2000+10.08 грн
5000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDJ-7 DMC31D5UDJ-7 Diodes Incorporated DMC31D5UDJ.pdf MOSFETs 30V N & P Enh FET Low RDSon 22.2pF
на замовлення 11527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDJ-7 DMC31D5UDJ-7 DIODES INC. DIODS21555-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC31D5UDJ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 1.5 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDJ-7 DMC31D5UDJ-7 DIODES INC. DIODS21555-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC31D5UDJ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 1.5 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDJ-7 DMC31D5UDJ.pdf
DMC31D5UDJ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 833159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+44.94 грн
11+27.16 грн
100+17.44 грн
500+12.42 грн
1000+10.82 грн
2000+10.08 грн
5000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDJ-7 DMC31D5UDJ.pdf
DMC31D5UDJ-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V N & P Enh FET Low RDSon 22.2pF
на замовлення 11527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDJ-7 DIODS21555-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMC31D5UDJ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC31D5UDJ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 1.5 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDJ-7 DIODS21555-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMC31D5UDJ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC31D5UDJ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 1.5 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.