DMC31D5UDJ-7B

DMC31D5UDJ-7B Diodes Incorporated


DMC31D5UDJ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 470000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+8.54 грн
30000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMC31D5UDJ-7B Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMC31D5UDJ-7B - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 0.9 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 350mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-963, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 350mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMC31D5UDJ-7B за ціною від 8.18 грн до 46.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMC31D5UDJ-7B DMC31D5UDJ-7B Виробник : Diodes Zetex dmc31d5udj.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.22A/0.2A 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 460000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDJ-7B DMC31D5UDJ-7B Виробник : DIODES INC. DMC31D5UDJ.pdf Description: DIODES INC. - DMC31D5UDJ-7B - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 0.9 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.91 грн
500+13.03 грн
1000+10.68 грн
5000+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDJ-7B DMC31D5UDJ-7B Виробник : Diodes Incorporated DMC31D5UDJ.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 490303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.44 грн
13+23.60 грн
100+16.45 грн
500+12.05 грн
1000+9.80 грн
2000+8.76 грн
5000+8.18 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDJ-7B DMC31D5UDJ-7B Виробник : DIODES INC. DMC31D5UDJ.pdf Description: DIODES INC. - DMC31D5UDJ-7B - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 0.9 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+38.71 грн
32+26.33 грн
100+17.91 грн
500+13.03 грн
1000+10.68 грн
5000+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDJ-7B DMC31D5UDJ-7B Виробник : Diodes Incorporated DIODS21555_1-2541770.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 16582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.52 грн
12+29.70 грн
100+17.07 грн
500+13.17 грн
1000+10.74 грн
2500+9.71 грн
10000+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDJ-7B
Код товару: 182453
Додати до обраних Обраний товар

DMC31D5UDJ.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDJ-7B DMC31D5UDJ-7B Виробник : Diodes Zetex dmc31d5udj.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.22A/0.2A 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.