Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > DMC31D5UDJ-7B

DMC31D5UDJ-7B

DMC31D5UDJ.pdf
Код товару: 182453
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції DMC31D5UDJ-7B за ціною від 7.84 грн до 28.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMC31D5UDJ-7B DMC31D5UDJ-7B Diodes Incorporated DMC31D5UDJ.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963
Power - Max: 350mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-963
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 200mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
на замовлення 470000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.30 грн
30000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDJ-7B DMC31D5UDJ-7B Diodes Zetex dmc31d5udj.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.22A/0.2A 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 460000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDJ-7B DMC31D5UDJ-7B Diodes Incorporated DMC31D5UDJ.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 490303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.61 грн
13+22.93 грн
100+15.99 грн
500+11.71 грн
1000+9.52 грн
2000+8.51 грн
5000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDJ-7B DMC31D5UDJ-7B Diodes Incorporated DIODS21555_1-2541770.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 16582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDJ-7B DMC31D5UDJ-7B DIODES INC. DIODS21555-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC31D5UDJ-7B - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 1.5 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDJ-7B DMC31D5UDJ-7B DIODES INC. DIODS21555-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC31D5UDJ-7B - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 1.5 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDJ-7B DMC31D5UDJ.pdf
DMC31D5UDJ-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963
Power - Max: 350mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-963
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 200mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
на замовлення 470000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+8.30 грн
30000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDJ-7B dmc31d5udj.pdf
DMC31D5UDJ-7B
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.22A/0.2A 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 460000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDJ-7B DMC31D5UDJ.pdf
DMC31D5UDJ-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 490303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+28.61 грн
13+22.93 грн
100+15.99 грн
500+11.71 грн
1000+9.52 грн
2000+8.51 грн
5000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDJ-7B DIODS21555_1-2541770.pdf
DMC31D5UDJ-7B
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 16582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDJ-7B DIODS21555-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMC31D5UDJ-7B
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC31D5UDJ-7B - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 1.5 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDJ-7B DIODS21555-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMC31D5UDJ-7B
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC31D5UDJ-7B - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 1.5 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.