DMC3400SDW-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.65A SOT363
Power - Max: 310mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA, 450mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 3.92 грн |
| 20000+ | 3.45 грн |
| 30000+ | 3.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMC3400SDW-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMC3400SDW-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 310mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 310mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DMC3400SDW-13 за ціною від 3.70 грн до 28.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMC3400SDW-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.65A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 310mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA, 450mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 102383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMC3400SDW-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V Comp Pair Enh 20Vgs 55pF 0.6nC |
на замовлення 11569 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMC3400SDW-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3400SDW-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 310mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 310mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 26690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|