Технічний опис DMC3400SDW-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMC3400SDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 310mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 310mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMC3400SDW-7 за ціною від 2.34 грн до 23.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMC3400SDW-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMC3400SDW-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 1214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMC3400SDW-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 594000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMC3400SDW-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 594000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMC3400SDW-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMC3400SDW-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMC3400SDW-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.65A SOT363Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-363 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA, 450mA Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 310mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 153000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMC3400SDW-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 0.5/-0.36A Power dissipation: 0.39W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4/0.9Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Kind of transistor: complementary pair |
на замовлення 929 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMC3400SDW-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.65A SOT363Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-363 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA, 450mA Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 310mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 153919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMC3400SDW-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3400SDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 310mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 310mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 5977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
DMC3400SDW-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3400SDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 310mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 310mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
DMC3400SDW-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 1214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1214 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMC3400SDW-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6025+ | 2.34 грн |
| DMC3400SDW-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 1214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1214+ | 3.90 грн |
| DMC3400SDW-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 594000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.97 грн |
| 9000+ | 3.43 грн |
| DMC3400SDW-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 594000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3555+ | 3.97 грн |
| 9000+ | 3.43 грн |
| DMC3400SDW-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.04 грн |
| 9000+ | 3.89 грн |
| DMC3400SDW-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3497+ | 4.04 грн |
| 9000+ | 3.89 грн |
| DMC3400SDW-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.65A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA, 450mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 310mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.65A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA, 450mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 310mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.30 грн |
| 6000+ | 3.73 грн |
| 9000+ | 3.53 грн |
| 15000+ | 3.09 грн |
| 21000+ | 2.97 грн |
| 30000+ | 2.85 грн |
| DMC3400SDW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 0.5/-0.36A
Power dissipation: 0.39W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4/0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 0.5/-0.36A
Power dissipation: 0.39W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4/0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 929 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 28+ | 16.04 грн |
| 37+ | 11.42 грн |
| 42+ | 10.01 грн |
| 100+ | 6.34 грн |
| 500+ | 4.38 грн |
| DMC3400SDW-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.65A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA, 450mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 310mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.65A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA, 450mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 310mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 153919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 23.97 грн |
| 22+ | 14.07 грн |
| 100+ | 8.82 грн |
| 500+ | 6.14 грн |
| 1000+ | 5.45 грн |
| DMC3400SDW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3400SDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 310mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 310mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMC3400SDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 310mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 310mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMC3400SDW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3400SDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 310mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 310mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMC3400SDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 310mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 310mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMC3400SDW-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 1214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






