DMC3730UFL3-7 Diodes Incorporated


DMC3730UFL3.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65.9pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A, 700mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 390mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.95 грн
6000+6.32 грн
9000+5.65 грн
15000+5.12 грн
21000+5.08 грн
30000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMC3730UFL3-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMC3730UFL3-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.1 A, 1.1 A, 0.46 ohm, tariffCode: 85411000, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 390mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: X2-DFN1310, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.46ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 390mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції DMC3730UFL3-7 за ціною від 7.95 грн до 33.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMC3730UFL3-7 DMC3730UFL3-7 Diodes Incorporated DMC3730UFL3.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 6DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65.9pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A, 700mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 390mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 35669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.32 грн
15+19.92 грн
100+12.66 грн
500+8.90 грн
1000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3730UFL3-7 DMC3730UFL3-7 Diodes Incorporated DMC3730UFL3.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 3972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3730UFL3-7 DMC3730UFL3-7 DIODES INC. DIOD-S-A0002833539-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC3730UFL3-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.1 A, 1.1 A, 0.46 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 390mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN1310
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.46ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 390mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3730UFL3-7 DMC3730UFL3-7 DIODES INC. DIOD-S-A0002833539-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC3730UFL3-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.1 A, 1.1 A, 0.46 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 390mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN1310
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.46ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 390mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3730UFL3-7 DMC3730UFL3.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65.9pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A, 700mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 390mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 35669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.32 грн
15+19.92 грн
100+12.66 грн
500+8.90 грн
1000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3730UFL3-7 DMC3730UFL3.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 3972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3730UFL3-7 DIOD-S-A0002833539-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3730UFL3-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.1 A, 1.1 A, 0.46 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 390mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN1310
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.46ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 390mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3730UFL3-7 DIOD-S-A0002833539-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3730UFL3-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.1 A, 1.1 A, 0.46 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 390mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN1310
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.46ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 390mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.