DMC4029SSD-13

DMC4029SSD-13 Diodes Incorporated


DMC4029SSD.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V, 1154pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V, 10.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+18.68 грн
5000+ 17.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMC4029SSD-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel Complementary, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.8W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 6.5A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V, 1154pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V, 10.6nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMC4029SSD-13 за ціною від 16.62 грн до 54.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMC4029SSD-13 DMC4029SSD-13 Виробник : Diodes Incorporated DMC4029SSD.pdf Description: MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V, 1154pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V, 10.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+49.23 грн
10+ 41.02 грн
100+ 28.4 грн
500+ 22.27 грн
1000+ 18.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMC4029SSD-13 DMC4029SSD-13 Виробник : Diodes Incorporated DMC4029SSD.pdf MOSFET Comp ENH FET 40VDs 20Vgs 1.3W
на замовлення 4713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+54.41 грн
10+ 46.88 грн
100+ 27.84 грн
500+ 23.22 грн
1000+ 19.79 грн
2500+ 16.89 грн
5000+ 16.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMC4029SSD-13 DMC4029SSD-13
Код товару: 107557
DMC4029SSD.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
DMC4029SSD-13 DMC4029SSD-13 Виробник : Diodes Inc 596dmc4029ssd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 40V 5.1A/7A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMC4029SSD-13 DMC4029SSD-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMC4029SSD-13.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.5/-9A
Power dissipation: 1.3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.024/0.045Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMC4029SSD-13 DMC4029SSD-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMC4029SSD-13.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.5/-9A
Power dissipation: 1.3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.024/0.045Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній