DMC4047LSD-13

DMC4047LSD-13 Diodes Incorporated


DMC4047LSD.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 100000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.10 грн
5000+15.37 грн
7500+14.71 грн
12500+13.26 грн
17500+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMC4047LSD-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.3W, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5.1A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active.

Інші пропозиції DMC4047LSD-13 за ціною від 16.11 грн до 71.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMC4047LSD-13 DMC4047LSD-13 Виробник : Diodes Incorporated DMC4047LSD.pdf MOSFETs FET BVDSS 31V 40V 1.3W 1180pF 21.3nC
на замовлення 7192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.68 грн
11+32.06 грн
100+18.98 грн
500+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4047LSD-13 DMC4047LSD-13 Виробник : Diodes Incorporated DMC4047LSD.pdf Description: MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 101344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.62 грн
10+42.76 грн
100+27.93 грн
500+20.21 грн
1000+18.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4047LSD-13 DMC4047LSD-13 Виробник : Diodes Inc dmc4047lsd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4047LSD-13 DMC4047LSD-13 Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B655D761591BF&compId=DMC4047LSD-13.pdf?ci_sign=1f9347077d2f3d0a9cdb40930dee8a9575fc7dfa Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.3/-6.3A
On-state resistance: 0.024/0.04Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4047LSD-13 DMC4047LSD-13 Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B655D761591BF&compId=DMC4047LSD-13.pdf?ci_sign=1f9347077d2f3d0a9cdb40930dee8a9575fc7dfa Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.3/-6.3A
On-state resistance: 0.024/0.04Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.