DMC4050SSD-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.56nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790.8pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 17.30 грн |
| 5000+ | 15.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMC4050SSD-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMC4050SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.02 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMC4050SSD-13 за ціною від 18.19 грн до 74.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMC4050SSD-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 177500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DMC4050SSD-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DMC4050SSD-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DMC4050SSD-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.56nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790.8pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 1.8W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 5251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DMC4050SSD-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N/P-MOSFET Case: SO8 Drain-source voltage: 40/-40V Drain current: 5.8/-5.5A On-state resistance: 45/45mΩ Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape |
на замовлення 79 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DMC4050SSD-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS |
на замовлення 1171 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
DMC4050SSD-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC4050SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.02 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
DMC4050SSD-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC4050SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.02 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMC4050SSD-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 177500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 20.32 грн |
| DMC4050SSD-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 454+ | 20.71 грн |
| 500+ | 20.56 грн |
| 1000+ | 20.40 грн |
| DMC4050SSD-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 682+ | 20.71 грн |
| DMC4050SSD-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.56nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790.8pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.56nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790.8pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 70.36 грн |
| 10+ | 42.36 грн |
| 100+ | 27.72 грн |
| 500+ | 20.09 грн |
| 1000+ | 18.19 грн |
| DMC4050SSD-13 |
|
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SO8
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 5.8/-5.5A
On-state resistance: 45/45mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SO8
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 5.8/-5.5A
On-state resistance: 45/45mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 74.84 грн |
| 10+ | 43.60 грн |
| DMC4050SSD-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS
MOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMC4050SSD-13 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC4050SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - DMC4050SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMC4050SSD-13 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC4050SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMC4050SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)