
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
454+ | 16.62 грн |
500+ | 16.50 грн |
1000+ | 16.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMC4050SSD-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMC4050SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.02 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMC4050SSD-13 за ціною від 16.12 грн до 74.81 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMC4050SSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 177500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DMC4050SSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DMC4050SSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790.8pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.56nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DMC4050SSD-13 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DMC4050SSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V Case: SO8 Drain-source voltage: 40/-40V Drain current: 5.8/-5.5A On-state resistance: 0.045/0.045Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DMC4050SSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 4886 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DMC4050SSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V Case: SO8 Drain-source voltage: 40/-40V Drain current: 5.8/-5.5A On-state resistance: 0.045/0.045Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DMC4050SSD-13 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DMC4050SSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790.8pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.56nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 8146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DMC4050SSD-13 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товару немає в наявності |