DMC4050SSDQ-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790.8pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.56nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 23.45 грн |
| 5000+ | 22.24 грн |
| 7500+ | 22.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMC4050SSDQ-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMC4050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.02 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMC4050SSDQ-13 за ціною від 22.82 грн до 73.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMC4050SSDQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMC4050SSDQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC4050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.02 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMC4050SSDQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790.8pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.56nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 17741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMC4050SSDQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V |
на замовлення 10688 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMC4050SSDQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC4050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.02 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMC4050SSDQ-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 5.3A Automotive 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
DMC4050SSDQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
DMC4050SSDQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| DMC4050SSDQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMC4050SSDQ-13 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |