на замовлення 5498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 16.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMC6040SSD-13 Diodes Inc
Description: DIODES INC. - DMC6040SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.033 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.24W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.24W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMC6040SSD-13 за ціною від 15.71 грн до 87.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMC6040SSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.24W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V, 1030pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMC6040SSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 95000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMC6040SSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 1935000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMC6040SSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 95000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMC6040SSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMC6040SSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMC6040SSD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC6040SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.033 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.24W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.24W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMC6040SSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.24W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V, 1030pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
на замовлення 6223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMC6040SSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 31V to 100V Comp Pair Enh FET 60V |
на замовлення 6108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMC6040SSD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC6040SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.033 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.24W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.24W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMC6040SSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMC6040SSD-13 Multi channel transistors |
на замовлення 1604 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
DMC6040SSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
DMC6040SSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |