Продукція > DIODES INCORPORATED > DMC6040SSD-13
DMC6040SSD-13

DMC6040SSD-13 Diodes Incorporated

DMC6040SSD.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.24W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V, 1030pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+17.33 грн
5000+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMC6040SSD-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMC6040SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.033 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.24W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.24W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції DMC6040SSD-13 за ціною від 16.74 грн до 68.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMC6040SSD-13 DMC6040SSD-13 Diodes Zetex dmc6040ssd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-Pin SO T/R
на замовлення 115000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.28 грн
5000+18.64 грн
10000+17.45 грн
25000+16.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC6040SSD-13 DMC6040SSD-13 Diodes Zetex dmc6040ssd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-Pin SO T/R
на замовлення 115000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.28 грн
5000+18.64 грн
10000+17.45 грн
25000+16.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC6040SSD-13 DMC6040SSD-13 DIODES INCORPORATED DMC6040SSD-13.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 5.1/-3.9A
Power dissipation: 1.56W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40/110mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+57.02 грн
12+36.90 грн
50+28.62 грн
100+25.56 грн
500+19.28 грн
1000+17.87 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC6040SSD-13 DMC6040SSD-13 Diodes Incorporated DMC6040SSD.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.24W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V, 1030pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 5386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.81 грн
10+41.55 грн
100+27.09 грн
500+19.59 грн
1000+17.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC6040SSD-13 DMC6040SSD-13 Diodes Incorporated DMC6040SSD.pdf MOSFETs 31V to 100V Comp Pair Enh FET 60V
на замовлення 4454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC6040SSD-13 DMC6040SSD-13 DIODES INC. DIODS21548-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - DMC6040SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.24W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.24W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC6040SSD-13 DMC6040SSD-13 DIODES INC. DIODS21548-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - DMC6040SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.24W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.24W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC6040SSD-13 dmc6040ssd.pdf
DMC6040SSD-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-Pin SO T/R
на замовлення 115000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+21.28 грн
5000+18.64 грн
10000+17.45 грн
25000+16.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC6040SSD-13 dmc6040ssd.pdf
DMC6040SSD-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-Pin SO T/R
на замовлення 115000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+21.28 грн
5000+18.64 грн
10000+17.45 грн
25000+16.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC6040SSD-13 DMC6040SSD-13.pdf
DMC6040SSD-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 5.1/-3.9A
Power dissipation: 1.56W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40/110mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+57.02 грн
12+36.90 грн
50+28.62 грн
100+25.56 грн
500+19.28 грн
1000+17.87 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC6040SSD-13 DMC6040SSD.pdf
DMC6040SSD-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.24W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V, 1030pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 5386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.81 грн
10+41.55 грн
100+27.09 грн
500+19.59 грн
1000+17.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC6040SSD-13 DMC6040SSD.pdf
DMC6040SSD-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 31V to 100V Comp Pair Enh FET 60V
на замовлення 4454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC6040SSD-13 DIODS21548-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
DMC6040SSD-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC6040SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.24W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.24W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC6040SSD-13 DIODS21548-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
DMC6040SSD-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC6040SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.24W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.24W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.