DMC6070LND-7 Diodes Incorporated


DMC6070LND.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.1A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A, 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 731pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXB)
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+18.72 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMC6070LND-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.1A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.4W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A, 2.4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 731pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXB).

Інші пропозиції DMC6070LND-7 за ціною від 22.09 грн до 84.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMC6070LND-7 DMC6070LND-7 Diodes Zetex 46dmc6070lnd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2.4A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 122000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+24.70 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC6070LND-7 DMC6070LND-7 Diodes Incorporated DMC6070LND.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.1A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A, 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 731pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXB)
на замовлення 79750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.28 грн
10+50.70 грн
100+33.38 грн
500+24.34 грн
1000+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC6070LND-7 DMC6070LND-7 Diodes Incorporated DMC6070LND.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC6070LND-7 46dmc6070lnd.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2.4A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 122000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+24.70 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC6070LND-7 DMC6070LND.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.1A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A, 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 731pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXB)
на замовлення 79750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+84.28 грн
10+50.70 грн
100+33.38 грн
500+24.34 грн
1000+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC6070LND-7 DMC6070LND.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.