DMC67D8UFDBQ-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMC67D8UFDBQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 390 mA, 390 mA, 4 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 390mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 390mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.072ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 890mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 890mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).