Продукція > DIODES INCORPORATED > DMC67D8UFDBQ-7
DMC67D8UFDBQ-7

DMC67D8UFDBQ-7 Diodes Incorporated

DMC67D8UFDBQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-
на замовлення 450000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMC67D8UFDBQ-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMC67D8UFDBQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 390 mA, 390 mA, 4 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 390mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 390mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.072ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 890mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 890mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції DMC67D8UFDBQ-7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMC67D8UFDBQ-7 DMC67D8UFDBQ-7 DIODES INC. 3199736.pdf Description: DIODES INC. - DMC67D8UFDBQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 390 mA, 390 mA, 4 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 390mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.072ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 890mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 890mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC67D8UFDBQ-7 DMC67D8UFDBQ-7 DIODES INC. 3199736.pdf Description: DIODES INC. - DMC67D8UFDBQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 390 mA, 390 mA, 4 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 390mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.072ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 890mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 890mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC67D8UFDBQ-7 3199736.pdf
DMC67D8UFDBQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC67D8UFDBQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 390 mA, 390 mA, 4 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 390mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.072ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 890mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 890mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC67D8UFDBQ-7 3199736.pdf
DMC67D8UFDBQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC67D8UFDBQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 390 mA, 390 mA, 4 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 390mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.072ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 890mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 890mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.