DMG1012T-13

DMG1012T-13 Diodes Incorporated


DMG1012TQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
на замовлення 150000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG1012T-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMG1012T-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280mW, Bauform - Transistor: SOT-523, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMG1012T-13 за ціною від 2.08 грн до 16.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG1012T-13 DMG1012T-13 Виробник : Diodes Zetex dmg1012t.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 1730000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13 DMG1012T-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0006455650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1012T-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 6020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.75 грн
1000+3.10 грн
5000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13 DMG1012T-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0006455650_1-2542645.pdf MOSFETs 20V N-Ch Enhance Mode MOSFET
на замовлення 22464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.56 грн
38+8.91 грн
100+3.95 грн
1000+3.23 грн
2500+2.80 грн
10000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13 DMG1012T-13 Виробник : Diodes Incorporated DMG1012TQ.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
на замовлення 156893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.30 грн
30+10.02 грн
100+6.23 грн
500+4.32 грн
1000+3.63 грн
2000+3.39 грн
5000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13 DMG1012T-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0006455650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1012T-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 6020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+16.90 грн
76+10.71 грн
181+4.46 грн
500+3.75 грн
1000+3.10 грн
5000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13 DMG1012T-13 Виробник : Diodes Zetex dmg1012t.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13 DMG1012T-13 Виробник : Diodes Inc ds31783.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13 DMG1012T-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG1012TQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 450mA; Idm: 3A; 280mW; SOT523
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 736.6pC
Pulsed drain current: 3A
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13 DMG1012T-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG1012TQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 450mA; Idm: 3A; 280mW; SOT523
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 736.6pC
Pulsed drain current: 3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.