Продукція > DIODES INCORPORATED > DMG1012T-13
DMG1012T-13

DMG1012T-13 Diodes Incorporated

DMG1012TQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG1012T-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMG1012T-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280mW, Bauform - Transistor: SOT-523, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMG1012T-13 за ціною від 2.39 грн до 19.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG1012T-13 DMG1012T-13 Diodes Zetex dmg1012t.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.75 грн
20000+3.38 грн
30000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13 DMG1012T-13 Diodes Zetex dmg1012t.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.75 грн
20000+3.38 грн
30000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13 DMG1012T-13 Diodes Zetex dmg1012t.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.85 грн
20000+3.46 грн
30000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13 DMG1012T-13 Diodes Zetex dmg1012t.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.89 грн
20000+3.50 грн
30000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13 DMG1012T-13 DIODES INC. DIOD-S-A0006455650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1012T-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.16 грн
1000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13 DMG1012T-13 Diodes Incorporated DMG1012TQ.pdf MOSFETs 20V N-Ch Enhance Mode MOSFET
на замовлення 17572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+17.64 грн
31+10.68 грн
100+5.84 грн
500+4.29 грн
1000+3.31 грн
5000+2.88 грн
10000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13 DMG1012T-13 Diodes Incorporated DMG1012TQ.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
на замовлення 11869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.20 грн
29+10.74 грн
100+6.70 грн
500+4.61 грн
1000+4.07 грн
2000+3.61 грн
5000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13 DMG1012T-13 DIODES INC. DIOD-S-A0006455650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1012T-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+19.53 грн
69+12.06 грн
110+7.51 грн
500+5.16 грн
1000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13 dmg1012t.pdf
DMG1012T-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.75 грн
20000+3.38 грн
30000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13 dmg1012t.pdf
DMG1012T-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.75 грн
20000+3.38 грн
30000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13 dmg1012t.pdf
DMG1012T-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.85 грн
20000+3.46 грн
30000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13 dmg1012t.pdf
DMG1012T-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.89 грн
20000+3.50 грн
30000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13 DIOD-S-A0006455650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG1012T-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG1012T-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.16 грн
1000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13 DMG1012TQ.pdf
DMG1012T-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 20V N-Ch Enhance Mode MOSFET
на замовлення 17572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.64 грн
31+10.68 грн
100+5.84 грн
500+4.29 грн
1000+3.31 грн
5000+2.88 грн
10000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13 DMG1012TQ.pdf
DMG1012T-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
на замовлення 11869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.20 грн
29+10.74 грн
100+6.70 грн
500+4.61 грн
1000+4.07 грн
2000+3.61 грн
5000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13 DIOD-S-A0006455650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG1012T-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG1012T-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+19.53 грн
69+12.06 грн
110+7.51 грн
500+5.16 грн
1000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.