на замовлення 840000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 2.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG1012T-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMG1012T-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280mW, Bauform - Transistor: SOT-523, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMG1012T-13 за ціною від 1.84 грн до 19.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG1012T-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T&RPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 280mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V |
на замовлення 820000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG1012T-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG1012T-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG1012T-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG1012T-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG1012T-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1012T-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 280mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG1012T-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 280mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V |
на замовлення 820580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG1012T-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 20V N-Ch Enhance Mode MOSFET |
на замовлення 22112 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG1012T-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1012T-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 280mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG1012T-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DMG1012T-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 450mA; Idm: 3A; 280mW; SOT523 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.45A Power dissipation: 0.28W Case: SOT523 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 736.6pC Pulsed drain current: 3A |
товару немає в наявності |