Продукція > HXY MOSFET > DMG1012T-7
DMG1012T-7

DMG1012T-7 HXY MOSFET

TDMG1012T-7_HXY_HXY_MOSFET_0001.pdf
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 800mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: DMG1012T-13; DMG1012T-7 HXY MOSFET TDMG1012T-7 HXY
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG1012T-7 HXY MOSFET

Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280mW, Bauform - Transistor: SOT-523, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMG1012T-7 за ціною від 3.06 грн до 72.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : DIODES/ZETEX info-tdmg1012t-7.pdf N-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C DMG1012T-7 TDMG1012T-7
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2094 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : DIODES/ZETEX info-tdmg1012t-7.pdf N-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C DMG1012T-7 TDMG1012T-7
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 13700 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1012t.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 669000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1012t.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1012t.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 243000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1012t.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1012t.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 309000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1012t.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 669000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1012t.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1012t.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 309000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1012t.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 243000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0014720042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG1012T-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 8320 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+14.33 грн
50+11.14 грн
100+9.64 грн
500+6.57 грн
1000+5.32 грн
3000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : DIODES INC. DMG1012T.pdf Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1059278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.39 грн
500+8.16 грн
1500+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG1012T.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
на замовлення 272721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.77 грн
6000+15.77 грн
9000+15.09 грн
15000+13.45 грн
21000+13.02 грн
30000+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG1012T.pdf MOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-523
на замовлення 334845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.03 грн
100+15.40 грн
500+10.22 грн
1000+8.08 грн
3000+6.63 грн
6000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : DIODES INC. DMG1012T.pdf Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1059278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+25.46 грн
50+24.26 грн
100+15.39 грн
500+8.16 грн
1500+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG1012T.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
на замовлення 272816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.26 грн
10+43.40 грн
100+28.32 грн
500+20.50 грн
1000+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 Виробник : Diodes DMG1012T.pdf Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.