Продукція > DIODES INC > DMG1012T-7
DMG1012T-7

DMG1012T-7 Diodes Inc

ds31783.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG1012T-7 Diodes Inc

Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280mW, Bauform - Transistor: SOT-523, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMG1012T-7 за ціною від 1.44 грн до 17.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1012t.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 621000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1012t.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 621000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4190+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 4190
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1012t.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1012t.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3847+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 3847
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0014720042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1114667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.86 грн
1000+3.25 грн
5000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG1012T-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT523
на замовлення 4801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
70+5.85 грн
91+4.16 грн
499+1.78 грн
1370+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG1012T-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT523
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4801 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
42+7.02 грн
55+5.18 грн
499+2.13 грн
1370+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0014720042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1114667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+11.64 грн
125+6.53 грн
181+4.51 грн
500+3.86 грн
1000+3.25 грн
5000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0006455650_1-2542645.pdf MOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-523
на замовлення 830372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+12.11 грн
50+6.68 грн
100+3.99 грн
3000+2.32 грн
9000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG1012T.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
на замовлення 465000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG1012T.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
на замовлення 467730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1012t.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 Виробник : DIODES/ZETEX DMG1012T.pdf N-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C DMG1012T-7 TDMG1012T-7
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 Виробник : DIODES/ZETEX DMG1012T.pdf N-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C DMG1012T-7 TDMG1012T-7
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 Виробник : HXY MOSFET DMG1012T.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 800mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: DMG1012T-13; DMG1012T-7 HXY MOSFET TDMG1012T-7 HXY
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.