на замовлення 2283000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5173+ | 2.26 грн |
9000+ | 2.18 грн |
30000+ | 2.1 грн |
60000+ | 1.98 грн |
120000+ | 1.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG1012T-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280mW, Bauform - Transistor: SOT-523, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm.
Інші пропозиції DMG1012T-7 за ціною від 1.52 грн до 20.94 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DMG1012T-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R |
на замовлення 2283000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
DMG1012T-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R |
на замовлення 591000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
DMG1012T-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R |
на замовлення 591000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
DMG1012T-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 280mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V |
на замовлення 392972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
DMG1012T-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 280mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm |
на замовлення 1212820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
DMG1012T-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523 Case: SOT523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.45A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.28W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V |
на замовлення 5210 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
DMG1012T-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523 Case: SOT523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.45A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.28W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 5210 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
DMG1012T-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R |
на замовлення 2716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
DMG1012T-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 280mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm |
на замовлення 1212820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
DMG1012T-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R |
на замовлення 2716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
DMG1012T-7 | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-523 |
на замовлення 982553 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
DMG1012T-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 280mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V |
на замовлення 395540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
DMG1012T-7 | Виробник : HXY MOSFET |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 800mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: DMG1012T-13; DMG1012T-7 HXY MOSFET TDMG1012T-7 HXY кількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
DMG1012T-7 | Виробник : DIODES/ZETEX | N-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C DMG1012T-7 TDMG1012T-7 |
на замовлення 25050 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
DMG1012T-7 | Виробник : Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R |
товар відсутній |