Продукція > DIODES INC > DMG1012T-7
DMG1012T-7

DMG1012T-7 Diodes Inc

ds31783.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG1012T-7 Diodes Inc

Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280mW, Bauform - Transistor: SOT-523, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMG1012T-7 за ціною від 1.59 грн до 17.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1012t.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 621000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4190+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 4190
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1012t.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 621000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1012t.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3847+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 3847
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1012t.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BD6BA5530671BF&compId=DMG1012T-DTE.pdf?ci_sign=252603162e5e908ba3c6b7855019d0eb803f4462 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.28W
On-state resistance: 0.3Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 3260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.42 грн
49+8.27 грн
52+7.72 грн
100+5.66 грн
482+1.93 грн
1326+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BD6BA5530671BF&compId=DMG1012T-DTE.pdf?ci_sign=252603162e5e908ba3c6b7855019d0eb803f4462 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.28W
On-state resistance: 0.3Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.31 грн
29+10.31 грн
31+9.26 грн
100+6.80 грн
482+2.32 грн
1326+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0014720042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1084763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.68 грн
500+7.11 грн
1000+5.16 грн
5000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0006455650_1-2542645.pdf MOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-523
на замовлення 830372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+12.74 грн
50+7.03 грн
100+4.20 грн
3000+2.44 грн
9000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG1012T.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
на замовлення 423000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0014720042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1084763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+16.36 грн
64+13.45 грн
100+12.68 грн
500+7.11 грн
1000+5.16 грн
5000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG1012T.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
на замовлення 423779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.35 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1012t.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 Виробник : DIODES/ZETEX DMG1012T.pdf N-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C DMG1012T-7 TDMG1012T-7
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 Виробник : DIODES/ZETEX DMG1012T.pdf N-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C DMG1012T-7 TDMG1012T-7
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 Виробник : HXY MOSFET DMG1012T.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 800mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: DMG1012T-13; DMG1012T-7 HXY MOSFET TDMG1012T-7 HXY
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.