Продукція > DIODES INC > DMG1012T-7

DMG1012T-7 Diodes Inc

Name: DMG1012T-7
Brand: Diodes Inc
SKU: 29015-7
Price: 6540.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 102000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	2.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис DMG1012T-7 Diodes Inc

Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280mW, Bauform - Transistor: SOT-523, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMG1012T-7 за ціною від 1.69 грн до 75.15 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

DMG1012T-7

Виробник : Diodes Zetex

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 669000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	4.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Виробник : Diodes Zetex

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 189000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	4.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Виробник : Diodes Zetex

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	4.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Виробник : Diodes Zetex

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 309000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	4.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Виробник : Diodes Zetex

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 669000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	4.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Виробник : Diodes Zetex

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 243000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	4.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Виробник : Diodes Zetex

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 309000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	5.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Виробник : Diodes Zetex

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 189000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	5.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Виробник : Diodes Zetex

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 243000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	5.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Виробник : DIODES INC.

DIOD-S-A0014720042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	8.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Виробник : DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1069990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
500+	9.90 грн
1500+	7.20 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Виробник : DIODES INCORPORATED

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

на замовлення 696 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
39+	11.65 грн
43+	9.82 грн
46+	9.15 грн
100+	6.70 грн
500+	5.22 грн

Мінімальне замовлення: 39

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Виробник : DIODES INCORPORATED

на замовлення 696 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

Кількість	Ціна
24+	13.98 грн
26+	12.23 грн
28+	10.98 грн
100+	8.05 грн
500+	6.27 грн
1000+	5.63 грн
3000+	4.75 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Виробник : DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1069990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
51+	17.74 грн
52+	17.56 грн
100+	17.38 грн
500+	9.90 грн
1500+	7.20 грн

Мінімальне замовлення: 51

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Виробник : Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V

на замовлення 351000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	17.87 грн
6000+	15.86 грн
9000+	15.18 грн
15000+	13.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Виробник : Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-523

на замовлення 334845 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
18+	20.85 грн
100+	17.81 грн
500+	11.82 грн
1000+	9.34 грн
3000+	7.67 грн
6000+	6.63 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Виробник : Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V

на замовлення 351261 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	75.15 грн
10+	44.92 грн
100+	29.37 грн
500+	21.26 грн
1000+	19.23 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Виробник : HXY MOSFET

Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 800mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: DMG1012T-13; DMG1012T-7 HXY MOSFET TDMG1012T-7 HXY
кількість в упаковці: 250 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
500+	1.69 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Виробник : DIODES/ZETEX

N-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C DMG1012T-7 TDMG1012T-7
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 8194 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	2.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.