DMG1012TQ-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.13 грн |
| 6000+ | 3.57 грн |
| 9000+ | 3.37 грн |
| 15000+ | 2.94 грн |
| 21000+ | 2.81 грн |
| 30000+ | 2.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG1012TQ-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMG1012TQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 280mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 280mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-523, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm.
Інші пропозиції DMG1012TQ-7 за ціною від 3.19 грн до 19.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG1012TQ-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMG1012TQ-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMG1012TQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT523 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.45A Power dissipation: 0.28W On-state resistance: 0.3Ω Gate-source voltage: ±6V Kind of package: 7 inch reel; tape Application: automotive industry |
на замовлення 1279 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMG1012TQ-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 280mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 109402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMG1012TQ-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: |
на замовлення 94203 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
DMG1012TQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1012TQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 280mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm |
на замовлення 20230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
DMG1012TQ-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
DMG1012TQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1012TQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 280mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 280mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-523 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm |
на замовлення 20230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMG1012TQ-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3394+ | 4.17 грн |
| 6000+ | 3.19 грн |
| DMG1012TQ-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.21 грн |
| 6000+ | 3.22 грн |
| DMG1012TQ-7 |
|
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.28W
On-state resistance: 0.3Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.28W
On-state resistance: 0.3Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
на замовлення 1279 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 39+ | 11.61 грн |
| 50+ | 8.29 грн |
| 69+ | 6.09 грн |
| 100+ | 5.36 грн |
| 500+ | 4.17 грн |
| 1000+ | 3.74 грн |
| DMG1012TQ-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 109402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 19.37 грн |
| 26+ | 11.79 грн |
| 100+ | 7.34 грн |
| 500+ | 5.07 грн |
| 1000+ | 4.48 грн |
| DMG1012TQ-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS:
MOSFETs MOSFET BVDSS:
на замовлення 94203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMG1012TQ-7 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG1012TQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 280mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
Description: DIODES INC. - DMG1012TQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 280mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
на замовлення 20230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMG1012TQ-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMG1012TQ-7 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG1012TQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 280mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 280mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
Description: DIODES INC. - DMG1012TQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 280mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 280mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
на замовлення 20230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)