DMG1012TQ-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 840000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.63 грн |
| 6000+ | 3.14 грн |
| 9000+ | 2.95 грн |
| 15000+ | 2.58 грн |
| 21000+ | 2.47 грн |
| 30000+ | 2.36 грн |
| 75000+ | 2.08 грн |
| 150000+ | 1.93 грн |
| 300000+ | 1.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG1012TQ-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMG1012TQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 280mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280mW, Bauform - Transistor: SOT-523, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DMG1012TQ-7 за ціною від 2.25 грн до 18.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG1012TQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMG1012TQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMG1012TQ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1012TQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 280mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 280mW Bauform - Transistor: SOT-523 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 24581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMG1012TQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: |
на замовлення 94203 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMG1012TQ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1012TQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 280mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 24581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMG1012TQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 280mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 848696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMG1012TQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| DMG1012TQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMG1012TQ-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 4314 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|