на замовлення 498000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG1012UW-7 Diodes Inc
Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 290mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 290mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMG1012UW-7 за ціною від 1.48 грн до 19.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG1012UW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 15117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMG1012UW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 495000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMG1012UW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMG1012UW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 495000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMG1012UW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 1A SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 290mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V |
на замовлення 333000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMG1012UW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMG1012UW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMG1012UW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMG1012UW-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 290mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 290mW Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 8768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMG1012UW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMG1012UW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; 0.29W; SOT323; ESD Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 1A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.29W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±6V Case: SOT323 |
на замовлення 2328 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMG1012UW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-323 |
на замовлення 181362 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMG1012UW-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 290mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 5941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMG1012UW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; 0.29W; SOT323; ESD Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 1A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.29W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±6V Case: SOT323 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2328 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMG1012UW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 1A SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 290mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V |
на замовлення 336049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMG1012UW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| DMG1012UW-7 | Виробник : DIODES/ZETEX |
N-MOSFET 20V 1A 450mΩ 290mW DMG1012UW-7 Diodes TDMG1012uw кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 5200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| DMG1012UW-7 | Виробник : DIODES/ZETEX |
N-MOSFET 20V 1A 450mΩ 290mW DMG1012UW-7 Diodes TDMG1012uw кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| DMG1012UW-7 | Виробник : JGSEMI |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 1,8A; 400mW; -55°C ~ 125°C; Equivalent: DMG1012UW-7 Diodes; DMG1012UW-7 JGSEMI TDMG1012uw JGS кількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|