Продукція > DIODES INC > DMG1012UW-7
DMG1012UW-7

DMG1012UW-7 Diodes Inc

ds31859.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 498000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG1012UW-7 Diodes Inc

Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 290mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 290mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMG1012UW-7 за ціною від 1.68 грн до 22.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG1012UW.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
на замовлення 163400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.17 грн
6000+2.84 грн
9000+2.63 грн
15000+2.27 грн
21000+2.11 грн
30000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Виробник : Diodes Zetex ds31859.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3650+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 3650
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Виробник : Diodes Zetex ds31859.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3580+3.44 грн
6000+3.17 грн
9000+2.76 грн
15000+2.60 грн
21000+2.36 грн
30000+2.17 грн
75000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 3580
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Виробник : Diodes Zetex ds31859.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3349+3.68 грн
6000+3.42 грн
9000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 3349
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Виробник : Diodes Zetex ds31859.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.69 грн
6000+3.40 грн
9000+2.96 грн
15000+2.78 грн
21000+2.53 грн
30000+2.32 грн
75000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Виробник : Diodes Zetex ds31859.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
190+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 190
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Виробник : Diodes Zetex ds31859.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.94 грн
6000+3.67 грн
9000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Виробник : DIODES INC. 1915877.pdf Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 290mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.83 грн
1500+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BB0CD02B24A11C&compId=DMG1012UW-dte.pdf?ci_sign=399be166625f6e6276fd3e6712d9ea042419d58c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; 0.29W; SOT323; ESD
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Power dissipation: 0.29W
On-state resistance: 0.3Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 3113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+14.49 грн
38+10.45 грн
48+8.31 грн
55+7.28 грн
84+4.73 грн
103+3.86 грн
356+2.61 грн
978+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Виробник : DIODES INC. 1915877.pdf Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+15.26 грн
81+10.57 грн
160+5.33 грн
500+4.72 грн
1500+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG1012UW.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
на замовлення 164032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.62 грн
40+7.92 грн
100+4.85 грн
500+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BB0CD02B24A11C&compId=DMG1012UW-dte.pdf?ci_sign=399be166625f6e6276fd3e6712d9ea042419d58c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; 0.29W; SOT323; ESD
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Power dissipation: 0.29W
On-state resistance: 0.3Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3113 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
18+17.39 грн
23+13.02 грн
29+9.98 грн
33+8.74 грн
51+5.68 грн
100+4.63 грн
356+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG1012UW.pdf MOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-323
на замовлення 98693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+22.79 грн
31+11.62 грн
100+5.09 грн
500+4.86 грн
1000+4.64 грн
3000+3.19 грн
6000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Виробник : Diodes Zetex ds31859.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7 Виробник : JGSEMI DMG1012UW.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 1,8A; 400mW; -55°C ~ 125°C; Equivalent: DMG1012UW-7 Diodes; DMG1012UW-7 JGSEMI TDMG1012uw JGS
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7 Виробник : DIODES/ZETEX DMG1012UW.pdf N-MOSFET 20V 1A 450mΩ 290mW DMG1012UW-7 Diodes TDMG1012uw
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7 Виробник : DIODES/ZETEX DMG1012UW.pdf N-MOSFET 20V 1A 450mΩ 290mW DMG1012UW-7 Diodes TDMG1012uw
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.