DMG1012UW-7 JGSEMI
Виробник: JGSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 1,8A; 400mW; -55°C ~ 125°C; Equivalent: DMG1012UW-7 Diodes; DMG1012UW-7 JGSEMI TDMG1012uw JGS
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 1.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG1012UW-7 JGSEMI
Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 290mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 290mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMG1012UW-7 за ціною від 2.42 грн до 19.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMG1012UW-7 | DIODES/ZETEX |
N-MOSFET 20V 1A 450mΩ 290mW DMG1012UW-7 Diodes TDMG1012uwкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 850 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMG1012UW-7 | DIODES/ZETEX |
N-MOSFET 20V 1A 450mΩ 290mW DMG1012UW-7 Diodes TDMG1012uwкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG1012UW-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG1012UW-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG1012UW-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG1012UW-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 2740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG1012UW-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG1012UW-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMG1012UW-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 1A SOT323Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 290mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V |
на замовлення 1994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG1012UW-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-323 |
на замовлення 88725 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DMG1012UW-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 290mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 5941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DMG1012UW-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 2740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 190 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DMG1012UW-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 290mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 290mW Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 8768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMG1012UW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES/ZETEX
N-MOSFET 20V 1A 450mΩ 290mW DMG1012UW-7 Diodes TDMG1012uw
кількість в упаковці: 3000 шт
N-MOSFET 20V 1A 450mΩ 290mW DMG1012UW-7 Diodes TDMG1012uw
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 850 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.42 грн |
| DMG1012UW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES/ZETEX
N-MOSFET 20V 1A 450mΩ 290mW DMG1012UW-7 Diodes TDMG1012uw
кількість в упаковці: 3000 шт
N-MOSFET 20V 1A 450mΩ 290mW DMG1012UW-7 Diodes TDMG1012uw
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.42 грн |
| DMG1012UW-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3650+ | 3.87 грн |
| DMG1012UW-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.94 грн |
| 6000+ | 3.63 грн |
| 9000+ | 3.16 грн |
| 15000+ | 2.98 грн |
| 21000+ | 2.70 грн |
| 30000+ | 2.48 грн |
| 75000+ | 2.44 грн |
| DMG1012UW-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3580+ | 3.94 грн |
| 6000+ | 3.63 грн |
| 9000+ | 3.16 грн |
| 15000+ | 2.98 грн |
| 21000+ | 2.70 грн |
| 30000+ | 2.48 грн |
| 75000+ | 2.44 грн |
| DMG1012UW-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 190+ | 3.98 грн |
| DMG1012UW-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.21 грн |
| 6000+ | 3.92 грн |
| 9000+ | 3.35 грн |
| DMG1012UW-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3349+ | 4.21 грн |
| 6000+ | 3.92 грн |
| 9000+ | 3.35 грн |
| DMG1012UW-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
Description: MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 19.33 грн |
| 27+ | 11.39 грн |
| 100+ | 7.10 грн |
| 500+ | 4.91 грн |
| 1000+ | 4.34 грн |
| DMG1012UW-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-323
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-323
на замовлення 88725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMG1012UW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMG1012UW-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMG1012UW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 290mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 290mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




