Продукція > JGSEMI > DMG1012UW-7
DMG1012UW-7

DMG1012UW-7 JGSEMI

TDMG1012uw_JGS_JGSEMI_0001.pdf
Виробник: JGSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 1,8A; 400mW; -55°C ~ 125°C; Equivalent: DMG1012UW-7 Diodes; DMG1012UW-7 JGSEMI TDMG1012uw JGS
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG1012UW-7 JGSEMI

Description: MOSFET N-CH 20V 1A SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 290mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V.

Інші пропозиції DMG1012UW-7 за ціною від 2.32 грн до 19.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 DIODES/ZETEX info-tdmg1012uw.pdf N-MOSFET 20V 1A 450mΩ 290mW DMG1012UW-7 Diodes TDMG1012uw
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 1050
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 DIODES/ZETEX info-tdmg1012uw.pdf N-MOSFET 20V 1A 450mΩ 290mW DMG1012UW-7 Diodes TDMG1012uw
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Diodes Incorporated DMG1012UW.pdf MOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-323
на замовлення 88725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.38 грн
35+9.30 грн
100+4.92 грн
500+4.08 грн
3000+2.67 грн
6000+2.46 грн
9000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Diodes Incorporated DMG1012UW.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.78 грн
27+11.66 грн
100+7.27 грн
500+5.02 грн
1000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7 info-tdmg1012uw.pdf
DMG1012UW-7
Виробник: DIODES/ZETEX
N-MOSFET 20V 1A 450mΩ 290mW DMG1012UW-7 Diodes TDMG1012uw
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 1050
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7 info-tdmg1012uw.pdf
DMG1012UW-7
Виробник: DIODES/ZETEX
N-MOSFET 20V 1A 450mΩ 290mW DMG1012UW-7 Diodes TDMG1012uw
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7 DMG1012UW.pdf
DMG1012UW-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-323
на замовлення 88725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.38 грн
35+9.30 грн
100+4.92 грн
500+4.08 грн
3000+2.67 грн
6000+2.46 грн
9000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7 DMG1012UW.pdf
DMG1012UW-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.78 грн
27+11.66 грн
100+7.27 грн
500+5.02 грн
1000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.