Продукція > JGSEMI > DMG1012UW-7
DMG1012UW-7

DMG1012UW-7 JGSEMI


TDMG1012uw_JGS_JGSEMI_0001.pdf
Виробник: JGSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 1,8A; 400mW; -55°C ~ 125°C; Equivalent: DMG1012UW-7 Diodes; DMG1012UW-7 JGSEMI TDMG1012uw JGS
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG1012UW-7 JGSEMI

Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 290mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 290mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMG1012UW-7 за ціною від 2.24 грн до 19.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Виробник : DIODES/ZETEX info-tdmg1012uw.pdf N-MOSFET 20V 1A 450mΩ 290mW DMG1012UW-7 Diodes TDMG1012uw
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Виробник : DIODES/ZETEX info-tdmg1012uw.pdf N-MOSFET 20V 1A 450mΩ 290mW DMG1012UW-7 Diodes TDMG1012uw
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Виробник : Diodes Zetex ds31859.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3650+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 3650
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Виробник : Diodes Zetex ds31859.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3580+3.61 грн
6000+3.33 грн
9000+2.90 грн
15000+2.73 грн
21000+2.48 грн
30000+2.28 грн
75000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 3580
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Виробник : Diodes Zetex ds31859.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3349+3.86 грн
6000+3.60 грн
9000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 3349
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Виробник : Diodes Zetex ds31859.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.87 грн
6000+3.57 грн
9000+3.10 грн
15000+2.92 грн
21000+2.66 грн
30000+2.44 грн
75000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Виробник : Diodes Zetex ds31859.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
190+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 190
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Виробник : Diodes Zetex ds31859.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.14 грн
6000+3.85 грн
9000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Виробник : DIODES INC. 1915877.pdf Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 290mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.56 грн
1500+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG1012UW-dte.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; 0.29W; SOT323; ESD
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Power dissipation: 0.29W
On-state resistance: 0.3Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 9092 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+13.43 грн
49+8.65 грн
71+5.92 грн
100+5.00 грн
500+3.51 грн
1000+3.15 грн
1500+2.98 грн
3000+2.72 грн
9000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Виробник : DIODES INC. 1915877.pdf Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+14.42 грн
81+9.99 грн
160+5.04 грн
500+4.46 грн
1500+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG1012UW.pdf MOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-323
на замовлення 88725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.05 грн
35+9.13 грн
100+4.83 грн
500+4.01 грн
3000+2.62 грн
6000+2.42 грн
9000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG1012UW.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.43 грн
27+11.45 грн
100+7.14 грн
500+4.93 грн
1000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Виробник : Diodes Zetex ds31859.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7 Виробник : Diodes DMG1012UW.pdf Транзистор N-MOSFET, полевой, 20V, 1A, 0,29W, SOT323 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG1012UW.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.