Продукція > DIODES INCORPORATED > DMG1012UWQ-7
DMG1012UWQ-7

DMG1012UWQ-7 Diodes Incorporated

DMG1012UWQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 306000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.63 грн
6000+4.02 грн
9000+3.80 грн
15000+3.33 грн
21000+3.19 грн
30000+3.05 грн
75000+2.71 грн
150000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG1012UWQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 460mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 16 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMG1012UWQ-7 за ціною від 4.78 грн до 23.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG1012UWQ-7 DMG1012UWQ-7 DIODES INCORPORATED DMG1012UWQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 6A; 610mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Gate charge: 1nC
Power dissipation: 0.61W
On-state resistance: 0.75Ω
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±6V
Application: automotive industry
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.79 грн
34+12.78 грн
100+7.82 грн
500+5.72 грн
1000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UWQ-7 DMG1012UWQ-7 Diodes Incorporated DMG1012UWQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 310072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.94 грн
23+13.41 грн
100+8.37 грн
500+5.82 грн
1000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UWQ-7 DMG1012UWQ-7 Diodes Incorporated DMG1012UWQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 3K
на замовлення 6747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.96 грн
23+14.40 грн
100+7.52 грн
500+5.84 грн
1000+4.99 грн
6000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UWQ-7 DMG1012UWQ.pdf
DMG1012UWQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 6A; 610mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Gate charge: 1nC
Power dissipation: 0.61W
On-state resistance: 0.75Ω
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±6V
Application: automotive industry
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.79 грн
34+12.78 грн
100+7.82 грн
500+5.72 грн
1000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UWQ-7 DMG1012UWQ.pdf
DMG1012UWQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 310072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.94 грн
23+13.41 грн
100+8.37 грн
500+5.82 грн
1000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UWQ-7 DMG1012UWQ.pdf
DMG1012UWQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 3K
на замовлення 6747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.96 грн
23+14.40 грн
100+7.52 грн
500+5.84 грн
1000+4.99 грн
6000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.