DMG1012UWQ-7

DMG1012UWQ-7 Diodes Zetex


dmg1012uwq.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 315000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3425+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 3425
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG1012UWQ-7 Diodes Zetex

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 460mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 16 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMG1012UWQ-7 за ціною від 2.88 грн до 26.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG1012UWQ-7 DMG1012UWQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG1012UWQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 315000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.11 грн
6000+4.44 грн
9000+4.19 грн
15000+3.67 грн
21000+3.52 грн
30000+3.37 грн
75000+2.99 грн
150000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UWQ-7 DMG1012UWQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG1012UWQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 6A; 610mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.61W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: 6A
на замовлення 2494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+22.28 грн
30+13.03 грн
50+9.70 грн
100+8.52 грн
241+3.76 грн
661+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UWQ-7 DMG1012UWQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG1012UWQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 317970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.67 грн
22+14.33 грн
100+8.95 грн
500+6.22 грн
1000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UWQ-7 DMG1012UWQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG1012UWQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 6A; 610mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.61W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: 6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2494 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.74 грн
18+16.23 грн
50+11.64 грн
100+10.23 грн
241+4.51 грн
661+4.26 грн
21000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UWQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG1012UWQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 3K
на замовлення 5896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+22.32 грн
23+14.81 грн
100+6.33 грн
1000+5.37 грн
3000+4.49 грн
9000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UWQ-7 Виробник : Diodes Inc dmg1012uwq.pdf MOSFET BVDSS: 8V24V SOT323 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.