DMG1012UWQ-7

DMG1012UWQ-7 Diodes Zetex


dmg1012uwq.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 312000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3425+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 3425
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG1012UWQ-7 Diodes Zetex

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 460mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 16 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMG1012UWQ-7 за ціною від 2.96 грн до 28.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG1012UWQ-7 DMG1012UWQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG1012UWQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 315000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.25 грн
6000+4.56 грн
9000+4.31 грн
15000+3.77 грн
21000+3.61 грн
30000+3.46 грн
75000+3.07 грн
150000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UWQ-7 DMG1012UWQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG1012UWQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 6A; 610mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Gate charge: 1nC
Power dissipation: 0.61W
On-state resistance: 0.75Ω
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±6V
Application: automotive industry
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+22.90 грн
31+13.00 грн
50+9.47 грн
100+8.27 грн
241+3.84 грн
660+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UWQ-7 DMG1012UWQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG1012UWQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 317970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.36 грн
22+14.73 грн
100+9.20 грн
500+6.39 грн
1000+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UWQ-7 DMG1012UWQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG1012UWQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 6A; 610mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Gate charge: 1nC
Power dissipation: 0.61W
On-state resistance: 0.75Ω
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±6V
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.48 грн
19+16.20 грн
50+11.36 грн
100+9.92 грн
241+4.61 грн
660+4.37 грн
9000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UWQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG1012UWQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R 3K
на замовлення 7285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.49 грн
21+16.96 грн
100+8.32 грн
500+6.88 грн
1000+5.90 грн
3000+5.52 грн
6000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UWQ-7 Виробник : Diodes Inc dmg1012uwq.pdf MOSFET BVDSS: 8V24V SOT323 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UWQ-7 DMG1012UWQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1012uwq.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.