Продукція > DIODES INCORPORATED > DMG1012UWQ-7
DMG1012UWQ-7

DMG1012UWQ-7 Diodes Incorporated

DMG1012UWQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG1012UWQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 460mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 16 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMG1012UWQ-7 за ціною від 5.44 грн до 27.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMG1012UWQ-7 DMG1012UWQ-7 DIODES INCORPORATED DMG1012UWQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 6A; 610mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 0.61W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.70 грн
32+13.37 грн
100+8.35 грн
500+6.16 грн
1000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UWQ-7 DMG1012UWQ-7 Diodes Incorporated DMG1012UWQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.69 грн
19+16.46 грн
25+13.59 грн
50+11.08 грн
100+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UWQ-7 DMG1012UWQ-7 Diodes Incorporated DMG1012UWQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 3K
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UWQ-7 DMG1012UWQ.pdf
DMG1012UWQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 6A; 610mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 0.61W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.70 грн
32+13.37 грн
100+8.35 грн
500+6.16 грн
1000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UWQ-7 DMG1012UWQ.pdf
DMG1012UWQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.69 грн
19+16.46 грн
25+13.59 грн
50+11.08 грн
100+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UWQ-7 DMG1012UWQ.pdf
DMG1012UWQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 3K
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.