
на замовлення 243000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 1.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG1013T-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMG1013T-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 460mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 270mW, Bauform - Transistor: SOT-523, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMG1013T-7 за ціною від 1.76 грн до 15.85 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMG1013T-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 243000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMG1013T-7 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMG1013T-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 7719000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMG1013T-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 270mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V |
на замовлення 282000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMG1013T-7 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 460mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 270mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 97695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMG1013T-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.33A; Idm: -6A; 0.27W; ESD Version: ESD Mounting: SMD Power dissipation: 0.27W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±6V Pulsed drain current: -6A Drain-source voltage: -20V Drain current: -330mA On-state resistance: 0.7Ω Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT523 |
на замовлення 1670 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMG1013T-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 270mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V |
на замовлення 282513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMG1013T-7 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 460mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 270mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 97695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMG1013T-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 1622823 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMG1013T-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.33A; Idm: -6A; 0.27W; ESD Version: ESD Mounting: SMD Power dissipation: 0.27W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±6V Pulsed drain current: -6A Drain-source voltage: -20V Drain current: -330mA On-state resistance: 0.7Ω Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT523 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1670 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMG1013T-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |