Продукція > DIODES INCORPORATED > DMG1013TQ-7
DMG1013TQ-7

DMG1013TQ-7 Diodes Incorporated

DMG1013TQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2541000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.09 грн
6000+2.73 грн
9000+2.72 грн
15000+2.53 грн
30000+2.52 грн
75000+2.46 грн
150000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG1013TQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-523, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 270mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-523, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMG1013TQ-7 за ціною від 2.87 грн до 23.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG1013TQ-7 DMG1013TQ-7 Виробник : Diodes Zetex 2674dmg1013tq.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1656000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3897+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 3897
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013TQ-7 DMG1013TQ-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002538915-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1013TQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.08 грн
1000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013TQ-7 DMG1013TQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG1013TQ.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2543024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.45 грн
26+12.44 грн
100+6.89 грн
500+5.21 грн
1000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013TQ-7 DMG1013TQ-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002538915-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1013TQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+23.41 грн
59+14.59 грн
105+8.08 грн
500+6.08 грн
1000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013TQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0002538915_1-2542084.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T and R 3K
на замовлення 221955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+21.97 грн
26+13.48 грн
100+7.33 грн
500+5.37 грн
1000+4.84 грн
3000+3.18 грн
6000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013TQ-7 Виробник : Diodes Inc 2674dmg1013tq.pdf 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013TQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG1013TQ.pdf DMG1013TQ-7 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.