Продукція > DIODES INCORPORATED > DMG1013TQ-7
DMG1013TQ-7

DMG1013TQ-7 Diodes Incorporated

DMG1013TQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2541000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.01 грн
6000+2.66 грн
9000+2.64 грн
15000+2.47 грн
21000+2.46 грн
30000+2.45 грн
75000+2.39 грн
150000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG1013TQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-523, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 270mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-523, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMG1013TQ-7 за ціною від 2.57 грн до 19.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG1013TQ-7 DMG1013TQ-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002538915-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1013TQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.29 грн
1000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013TQ-7 DMG1013TQ-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002538915-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1013TQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+15.76 грн
78+10.65 грн
152+5.45 грн
500+4.29 грн
1000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013TQ-7 DMG1013TQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG1013TQ.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2543024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.90 грн
26+12.11 грн
100+6.71 грн
500+5.07 грн
1000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013TQ-7 Виробник : Diodes Zetex 2674dmg1013tq.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013TQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0002538915_1-2542084.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT523 T&R 3K
на замовлення 222276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+16.31 грн
32+10.83 грн
100+4.86 грн
1000+4.34 грн
3000+2.65 грн
9000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013TQ-7 Виробник : Diodes Zetex 2674dmg1013tq.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013TQ-7 Виробник : Diodes Inc 2674dmg1013tq.pdf 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013TQ-7 Виробник : Diodes Zetex 2674dmg1013tq.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013TQ-7 DMG1013TQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG1013TQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -330mA; Idm: -6A; 270mW
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.27W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 580pC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -6A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -330mA
On-state resistance: 1.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT523
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013TQ-7 DMG1013TQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG1013TQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -330mA; Idm: -6A; 270mW
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.27W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 580pC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -6A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -330mA
On-state resistance: 1.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT523
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.