DMG1013TQ-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2541000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.09 грн |
| 6000+ | 2.73 грн |
| 9000+ | 2.71 грн |
| 15000+ | 2.53 грн |
| 21000+ | 2.52 грн |
| 30000+ | 2.51 грн |
| 75000+ | 2.45 грн |
| 150000+ | 2.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG1013TQ-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-523, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 270mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-523, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMG1013TQ-7 за ціною від 2.87 грн до 23.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG1013TQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1656000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG1013TQ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1013TQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 460mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 270mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG1013TQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 270mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2543024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG1013TQ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1013TQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 460mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 270mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMG1013TQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T and R 3K |
на замовлення 221955 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DMG1013TQ-7 | Виробник : Diodes Inc |
20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
DMG1013TQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -330mA; Idm: -6A; 270mW Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.33A Power dissipation: 0.27W Case: SOT523 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Gate charge: 580pC Pulsed drain current: -6A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMG1013TQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -330mA; Idm: -6A; 270mW Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.33A Power dissipation: 0.27W Case: SOT523 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Gate charge: 580pC Pulsed drain current: -6A |
товару немає в наявності |