DMG1013UW-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.63 грн |
| 6000+ | 3.14 грн |
| 9000+ | 2.95 грн |
| 15000+ | 2.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG1013UW-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMG1013UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 820mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DMG1013UW-7 за ціною від 2.05 грн до 24.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG1013UW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG1013UW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 915000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG1013UW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG1013UW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 915000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG1013UW-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1013UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 820mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 32462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG1013UW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V |
на замовлення 20862 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG1013UW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Ch -20V VDSS Enchanced Mosfet |
на замовлення 85942 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG1013UW-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1013UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 820mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 28787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMG1013UW-7 | Виробник : DIODES/ZETEX |
Transistor P-MOSFET; 20V; 6V; 1,5Ohm; 820mA; 310mW; -55°C~150°C; DMG1013UW-7 TDMG1013UW-7 Diodes кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DMG1013UW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMG1013UW-7 SMD P channel transistors |
на замовлення 6493 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DMG1013UW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323 |
на замовлення 1370 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
DMG1013UW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R |
товару немає в наявності |