на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG1013UW-7 Diodes Inc
Description: DIODES INC. - DMG1013UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 820mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMG1013UW-7 за ціною від 1.96 грн до 20.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMG1013UW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMG1013UW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V |
на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DMG1013UW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 915000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DMG1013UW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DMG1013UW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 915000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DMG1013UW-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1013UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 820mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 32462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DMG1013UW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD Version: ESD Drain current: -0.54A Power dissipation: 0.31W On-state resistance: 1.5Ω Kind of package: 7 inch reel; tape Gate-source voltage: ±6V Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Case: SOT323 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V |
на замовлення 9786 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DMG1013UW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD Version: ESD Drain current: -0.54A Power dissipation: 0.31W On-state resistance: 1.5Ω Kind of package: 7 inch reel; tape Gate-source voltage: ±6V Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Case: SOT323 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9786 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMG1013UW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V |
на замовлення 113349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DMG1013UW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Ch -20V VDSS Enchanced Mosfet |
на замовлення 14401 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DMG1013UW-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1013UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 820mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 30327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| DMG1013UW-7 | Виробник : DIODES/ZETEX |
Transistor P-MOSFET; 20V; 6V; 1,5Ohm; 820mA; 310mW; -55°C~150°C; DMG1013UW-7 TDMG1013UW-7 Diodesкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| DMG1013UW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323 |
на замовлення 1370 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
DMG1013UW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R |
товару немає в наявності |




