DMG1013UW-7 DIODES/ZETEX
Виробник: DIODES/ZETEX
Transistor P-MOSFET; 20V; 6V; 1,5Ohm; 820mA; 310mW; -55°C~150°C; DMG1013UW-7 TDMG1013UW-7 Diodes
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 300+ | 2.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG1013UW-7 DIODES/ZETEX
Description: DIODES INC. - DMG1013UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 820mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DMG1013UW-7 за ціною від 2.25 грн до 4.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG1013UW-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMG1013UW-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMG1013UW-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 915000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMG1013UW-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 915000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMG1013UW-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Ch -20V VDSS Enchanced Mosfet |
на замовлення 283345 шт: термін постачання 301-310 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
DMG1013UW-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1013UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 820mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 28787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
DMG1013UW-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1013UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 820mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 32462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMG1013UW-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3489+ | 4.06 грн |
| 6000+ | 3.56 грн |
| 9000+ | 2.69 грн |
| 15000+ | 2.59 грн |
| 21000+ | 2.37 грн |
| 30000+ | 2.26 грн |
| DMG1013UW-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.10 грн |
| 6000+ | 3.60 грн |
| 9000+ | 2.72 грн |
| 15000+ | 2.62 грн |
| 21000+ | 2.39 грн |
| 30000+ | 2.28 грн |
| DMG1013UW-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 915000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.27 грн |
| 6000+ | 3.75 грн |
| 9000+ | 2.84 грн |
| 15000+ | 2.72 грн |
| 21000+ | 2.49 грн |
| 30000+ | 2.38 грн |
| 75000+ | 2.25 грн |
| DMG1013UW-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 915000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3319+ | 4.27 грн |
| 6000+ | 3.75 грн |
| 9000+ | 2.84 грн |
| 15000+ | 2.72 грн |
| 21000+ | 2.49 грн |
| 30000+ | 2.38 грн |
| 75000+ | 2.25 грн |
| DMG1013UW-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs P-Ch -20V VDSS Enchanced Mosfet
MOSFETs P-Ch -20V VDSS Enchanced Mosfet
на замовлення 283345 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
| DMG1013UW-7 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG1013UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMG1013UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 28787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMG1013UW-7 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG1013UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMG1013UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 32462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)