Продукція > DIODES INCORPORATED > DMG1013UWQ-13
DMG1013UWQ-13

DMG1013UWQ-13 Diodes Incorporated

DMG1013UWQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 580000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+3.16 грн
20000+3.02 грн
30000+2.87 грн
50000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG1013UWQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±6V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-323, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta), FET Type: P-Channel, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMG1013UWQ-13 за ціною від 3.65 грн до 29.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMG1013UWQ-13 DMG1013UWQ-13 Diodes Zetex dmg1013uwq.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 4890000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-13 DMG1013UWQ-13 Diodes Incorporated DMG1013UWQ.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 592235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.78 грн
25+12.16 грн
100+5.19 грн
500+4.65 грн
1000+4.08 грн
2000+3.97 грн
5000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-13 DMG1013UWQ-13 Diodes Zetex dmg1013uwq.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+29.03 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-13 DMG1013UWQ-13 Diodes Zetex dmg1013uwq.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+29.31 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-13 DMG1013UWQ-13 Diodes Incorporated DMG1013UWQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS:
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-13 DMG1013UWQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0012930346-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-13 DMG1013UWQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0012930346-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-13 dmg1013uwq.pdf
DMG1013UWQ-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 4890000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-13 DMG1013UWQ.pdf
DMG1013UWQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 592235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+20.78 грн
25+12.16 грн
100+5.19 грн
500+4.65 грн
1000+4.08 грн
2000+3.97 грн
5000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-13 dmg1013uwq.pdf
DMG1013UWQ-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+29.03 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-13 dmg1013uwq.pdf
DMG1013UWQ-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+29.31 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-13 DMG1013UWQ.pdf
DMG1013UWQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS:
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-13 DIOD-S-A0012930346-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG1013UWQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-13 DIOD-S-A0012930346-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG1013UWQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.