DMG1013UWQ-7

DMG1013UWQ-7 Diodes Incorporated


DMG1013UWQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 204000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.87 грн
6000+3.40 грн
9000+3.07 грн
15000+2.81 грн
21000+2.74 грн
30000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG1013UWQ-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 820mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 310mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMG1013UWQ-7 за ціною від 3.50 грн до 22.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG1013UWQ-7 DMG1013UWQ-7 Виробник : DIODES INC. 2814383.pdf Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 310mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.30 грн
1500+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-7 DMG1013UWQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986DF3818A738D8BF&compId=DMG1013UWQ.pdf?ci_sign=a1598430a3b580a601abe82e52e1bd1c14ee1584 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
Power dissipation: 0.31W
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
на замовлення 2274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+17.05 грн
34+11.72 грн
50+8.36 грн
100+7.18 грн
237+3.92 грн
651+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-7 DMG1013UWQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG1013UWQ.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 206798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.09 грн
28+11.48 грн
100+6.06 грн
500+5.21 грн
1000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-7 DMG1013UWQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986DF3818A738D8BF&compId=DMG1013UWQ.pdf?ci_sign=a1598430a3b580a601abe82e52e1bd1c14ee1584 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
Power dissipation: 0.31W
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2274 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+20.46 грн
21+14.60 грн
50+10.03 грн
100+8.62 грн
237+4.70 грн
651+4.45 грн
6000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-7 DMG1013UWQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG1013UWQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS:
на замовлення 12168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+20.57 грн
27+13.29 грн
100+6.16 грн
1000+5.55 грн
3000+4.48 грн
6000+4.03 грн
9000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-7 DMG1013UWQ-7 Виробник : DIODES INC. 2814383.pdf Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+22.94 грн
57+15.18 грн
118+7.28 грн
500+6.30 грн
1500+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-7 DMG1013UWQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1013uwq.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-7 DMG1013UWQ-7 Виробник : Diodes Inc 100dmg1013uwq.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.