DMG1013UWQ-7 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 310mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 6.06 грн |
| 1500+ | 5.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG1013UWQ-7 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 820mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 310mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DMG1013UWQ-7 за ціною від 3.73 грн до 22.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG1013UWQ-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±6V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-323 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta) FET Type: P-Channel |
на замовлення 2313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMG1013UWQ-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: |
на замовлення 27575 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMG1013UWQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 820mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| DMG1013UWQ-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
FET Type: P-Channel
на замовлення 2313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 19.78 грн |
| 24+ | 12.72 грн |
| 100+ | 6.10 грн |
| 500+ | 5.34 грн |
| 1000+ | 4.94 грн |
| DMG1013UWQ-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS:
MOSFETs MOSFET BVDSS:
на замовлення 27575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 20.43 грн |
| 25+ | 13.18 грн |
| 100+ | 5.42 грн |
| 500+ | 4.99 грн |
| 1000+ | 4.64 грн |
| 3000+ | 4.15 грн |
| 6000+ | 3.73 грн |
| DMG1013UWQ-7 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 22.07 грн |
| 57+ | 14.60 грн |
| 118+ | 7.01 грн |
| 500+ | 6.06 грн |
| 1500+ | 5.20 грн |