
DMG1016UDW-7 Diodes Inc
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 3.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG1016UDW-7 Diodes Inc
Description: DIODES INC. - DMG1016UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 845mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 845mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 330mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 330mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMG1016UDW-7 за ціною від 2.43 грн до 31.37 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMG1016UDW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 261000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMG1016UDW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 261000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMG1016UDW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 207000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMG1016UDW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 330mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.07A, 845mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMG1016UDW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMG1016UDW-7 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 845mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 845mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm Verlustleistung, p-Kanal: 330mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 330mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 16090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMG1016UDW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.85/-1.07A Power dissipation: 0.53W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.45/0.75Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 410 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMG1016UDW-7 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 845mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 845mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm Verlustleistung, p-Kanal: 330mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 330mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMG1016UDW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 193724 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMG1016UDW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 330mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.07A, 845mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 25216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMG1016UDW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.85/-1.07A Power dissipation: 0.53W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.45/0.75Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 410 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMG1016UDW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
DMG1016UDW-7 |
![]() |
на замовлення 55000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
![]() |
DMG1016UDW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товару немає в наявності |