Продукція > DIODES ZETEX > DMG1016UDW-7
DMG1016UDW-7

DMG1016UDW-7 Diodes Zetex

ds31860.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 261000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3547+3.45 грн
63000+3.16 грн
126000+2.94 грн
189000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 3547
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG1016UDW-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMG1016UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 845mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 845mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 330mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 330mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DMG1016UDW-7 за ціною від 2.82 грн до 36.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Виробник : Diodes Inc ds31860.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Виробник : Diodes Zetex ds31860.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 261000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.50 грн
9000+2.98 грн
24000+2.95 грн
45000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG1016UDW.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.07A, 845mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.54 грн
6000+5.06 грн
9000+4.66 грн
15000+4.14 грн
21000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Виробник : Diodes Zetex ds31860.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.58 грн
9000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Виробник : Diodes Zetex ds31860.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1384+8.84 грн
1496+8.18 грн
1530+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 1384
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0014467429-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1016UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 845mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 845mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 16090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.50 грн
500+7.15 грн
1500+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B6A63C43851BF&compId=DMG1016UDW-7.pdf?ci_sign=85e050a79199460f73a9bb43f2150054fede3a16 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.85/-1.07A
On-state resistance: 0.45/0.75Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT363
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+24.55 грн
23+17.14 грн
50+11.84 грн
100+10.03 грн
204+4.54 грн
560+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0014467429-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1016UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 845mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 845mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+25.82 грн
50+18.20 грн
100+8.63 грн
500+7.58 грн
1500+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG1016UDW.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.07A, 845mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 25216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.75 грн
19+16.59 грн
100+10.28 грн
500+7.28 грн
1000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0004565582_1-2542502.pdf MOSFETs 20V Vdss 6V VGSS Complementary Pair
на замовлення 177963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.79 грн
20+17.62 грн
100+9.66 грн
500+7.17 грн
1000+6.34 грн
3000+4.98 грн
6000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B6A63C43851BF&compId=DMG1016UDW-7.pdf?ci_sign=85e050a79199460f73a9bb43f2150054fede3a16 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.85/-1.07A
On-state resistance: 0.45/0.75Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT363
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.46 грн
14+21.35 грн
50+14.21 грн
100+12.04 грн
204+5.44 грн
560+5.15 грн
24000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Виробник : Diodes Zetex ds31860.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+36.38 грн
28+25.57 грн
100+9.13 грн
250+7.82 грн
500+7.35 грн
1000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW.pdf
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Виробник : Diodes Zetex ds31860.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.