Продукція > DIODES ZETEX > DMG1016UDW-7
DMG1016UDW-7

DMG1016UDW-7 Diodes Zetex

ds31860.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 261000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3547+3.98 грн
63000+3.64 грн
126000+3.39 грн
189000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 3547 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG1016UDW-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMG1016UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 845mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 845mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 330mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 330mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DMG1016UDW-7 за ціною від 3.04 грн до 39.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Diodes Zetex ds31860.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 261000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.93 грн
9000+3.21 грн
24000+3.18 грн
45000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Diodes Zetex ds31860.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.01 грн
9000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Diodes Zetex ds31860.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1384+10.20 грн
1496+9.44 грн
1530+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 1384 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Diodes Incorporated DMG1016UDW.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.07A, 845mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.52 грн
20+15.11 грн
100+9.50 грн
500+6.63 грн
1000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 DIODES INCORPORATED DMG1016UDW-7.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Mounting: SMD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SOT363
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.85/-1.07A
Power dissipation: 0.53W
On-state resistance: 0.45/0.75Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 632 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.84 грн
24+17.46 грн
50+11.91 грн
100+10.09 грн
500+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Diodes Zetex ds31860.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.17 грн
28+27.54 грн
100+9.83 грн
250+8.43 грн
500+7.91 грн
1000+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Diodes Incorporated DMG1016UDW.pdf MOSFETs 20V Vdss 6V VGSS Complementary Pair
на замовлення 84321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 DIODES INC. DIOD-S-A0014467429-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1016UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 845mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 845mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 DIODES INC. DIOD-S-A0014467429-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1016UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 845mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 845mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 16090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW.pdf
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7 ds31860.pdf
DMG1016UDW-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 261000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.93 грн
9000+3.21 грн
24000+3.18 грн
45000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7 ds31860.pdf
DMG1016UDW-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.01 грн
9000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7 ds31860.pdf
DMG1016UDW-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1384+10.20 грн
1496+9.44 грн
1530+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 1384 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW.pdf
DMG1016UDW-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.07A, 845mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.52 грн
20+15.11 грн
100+9.50 грн
500+6.63 грн
1000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7.pdf
DMG1016UDW-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Mounting: SMD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SOT363
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.85/-1.07A
Power dissipation: 0.53W
On-state resistance: 0.45/0.75Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 632 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.84 грн
24+17.46 грн
50+11.91 грн
100+10.09 грн
500+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7 ds31860.pdf
DMG1016UDW-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+39.17 грн
28+27.54 грн
100+9.83 грн
250+8.43 грн
500+7.91 грн
1000+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW.pdf
DMG1016UDW-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 20V Vdss 6V VGSS Complementary Pair
на замовлення 84321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7 DIOD-S-A0014467429-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG1016UDW-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG1016UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 845mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 845mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7 DIOD-S-A0014467429-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG1016UDW-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG1016UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 845mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 845mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 16090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW.pdf
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.