DMG1016UDWQ-7

DMG1016UDWQ-7 Diodes Zetex


ds31860.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 414000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.82 грн
6000+ 4.78 грн
9000+ 4.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG1016UDWQ-7 Diodes Zetex

Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.066A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel Complementary, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 330mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.066A (Ta), 845mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V, 59.76pF @ 16V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 736.6nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363, Part Status: Not For New Designs, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMG1016UDWQ-7 за ціною від 3.51 грн до 5.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMG1016UDWQ-7 DMG1016UDWQ-7 Виробник : Diodes Zetex ds31860.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 414000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.18 грн
9000+ 4.98 грн
15000+ 4.9 грн
30000+ 4.61 грн
60000+ 4.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1016UDWQ-7 DMG1016UDWQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG1016UDWQ_Rev1.3_Jan2022.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.066A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.066A (Ta), 845mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V, 59.76pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 736.6nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 372000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.57 грн
6000+ 5.24 грн
9000+ 4.64 грн
30000+ 4.3 грн
75000+ 3.66 грн
150000+ 3.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1016UDWQ-7 DMG1016UDWQ-7 Виробник : Diodes Inc 102ds31860.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMG1016UDWQ-7 Виробник : Diodes Inc 102ds31860.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
DMG1016UDWQ-7 DMG1016UDWQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG1016UDWQ_Rev1.3_Jan2022.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.69/-0.548A; Idm: 3.2A
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.69/-0.548A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: 3.2A
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DMG1016UDWQ-7 DMG1016UDWQ-7 Виробник : Diodes Zetex ds31860.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
DMG1016UDWQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0004565582_1-2542502.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363 T&R 3K
товар відсутній
DMG1016UDWQ-7 DMG1016UDWQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG1016UDWQ_Rev1.3_Jan2022.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.69/-0.548A; Idm: 3.2A
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.69/-0.548A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: 3.2A
товар відсутній