DMG1016V-7 Diodes Zetex
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3081+ | 4.02 грн |
| 6000+ | 3.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG1016V-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMG1016V-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 870 mA, 870 mA, 0.3 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 530mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 530mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMG1016V-7 за ціною від 4.50 грн до 38.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMG1016V-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMG1016V-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMG1016V-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMG1016V-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG1016V-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 530mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
на замовлення 975000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMG1016V-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMG1016V-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 195000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMG1016V-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMG1016V-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMG1016V-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMG1016V-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMG1016V-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1016V-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 870 mA, 870 mA, 0.3 ohmtariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm Verlustleistung, p-Kanal: 530mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 530mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMG1016V-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 1035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG1016V-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 530mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
на замовлення 979116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMG1016V-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N/P-MOSFET Case: SOT563 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.63/-0.46A Power dissipation: 0.53W On-state resistance: 0.4/0.7Ω Gate-source voltage: ±6V Kind of package: 7 inch reel; tape |
на замовлення 2463 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMG1016V-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563 |
на замовлення 279544 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMG1016V-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N/P-MOSFET Case: SOT563 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.63/-0.46A Power dissipation: 0.53W On-state resistance: 0.4/0.7Ω Gate-source voltage: ±6V Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2463 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMG1016V-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 1035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMG1016V-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1016V-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 870 mA, 870 mA, 0.3 ohmtariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm Verlustleistung, p-Kanal: 530mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 530mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|



