DMG1016V-7 Diodes Zetex
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3081+ | 4.58 грн |
| 6000+ | 4.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG1016V-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMG1016V-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 870 mA, 870 mA, 0.3 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 530mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 530mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції DMG1016V-7 за ціною від 4.79 грн до 40.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMG1016V-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMG1016V-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMG1016V-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMG1016V-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMG1016V-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 195000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMG1016V-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMG1016V-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 530mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMG1016V-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMG1016V-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMG1016V-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMG1016V-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 1035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMG1016V-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.63/-0.46A Power dissipation: 0.53W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.4/0.7Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 1463 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMG1016V-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 530mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
на замовлення 19975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMG1016V-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 1035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMG1016V-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563 |
на замовлення 263313 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
DMG1016V-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1016V-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 870 mA, 870 mA, 0.3 ohmtariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm Verlustleistung, p-Kanal: 530mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 530mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
DMG1016V-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1016V-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 870 mA, 870 mA, 0.3 ohmtariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm Verlustleistung, p-Kanal: 530mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 530mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMG1016V-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.88 грн |
| 9000+ | 4.79 грн |
| DMG1016V-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.02 грн |
| 9000+ | 5.50 грн |
| DMG1016V-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.31 грн |
| 9000+ | 5.32 грн |
| DMG1016V-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.31 грн |
| 9000+ | 5.32 грн |
| DMG1016V-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.80 грн |
| DMG1016V-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.36 грн |
| 15000+ | 6.73 грн |
| 30000+ | 6.26 грн |
| 45000+ | 5.69 грн |
| DMG1016V-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.53 грн |
| 6000+ | 6.59 грн |
| 9000+ | 6.25 грн |
| 15000+ | 5.50 грн |
| DMG1016V-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.23 грн |
| 6000+ | 7.22 грн |
| 9000+ | 7.14 грн |
| DMG1016V-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.36 грн |
| DMG1016V-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.99 грн |
| DMG1016V-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 581+ | 24.32 грн |
| DMG1016V-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.63/-0.46A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.4/0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.63/-0.46A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.4/0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 1463 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 32.96 грн |
| 19+ | 21.84 грн |
| 50+ | 15.14 грн |
| 100+ | 12.91 грн |
| 500+ | 9.18 грн |
| 1000+ | 8.11 грн |
| DMG1016V-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 19975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 34.79 грн |
| 15+ | 20.25 грн |
| 100+ | 12.84 грн |
| 500+ | 9.02 грн |
| 1000+ | 8.05 грн |
| DMG1016V-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 40.29 грн |
| 31+ | 24.32 грн |
| 118+ | 6.17 грн |
| 250+ | 5.65 грн |
| 500+ | 5.38 грн |
| 1000+ | 5.32 грн |
| DMG1016V-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
на замовлення 263313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMG1016V-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG1016V-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 870 mA, 870 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 530mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 530mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - DMG1016V-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 870 mA, 870 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 530mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 530mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMG1016V-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG1016V-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 870 mA, 870 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 530mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 530mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - DMG1016V-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 870 mA, 870 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 530mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 530mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






