DMG1016VQ-13 Diodes Zetex
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 10.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG1016VQ-13 Diodes Zetex
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 530mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-563, Part Status: Active.
Інші пропозиції DMG1016VQ-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG1016VQ-13 | Виробник : Diodes Inc |
 Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R |
товар відсутній |
|
| DMG1016VQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 630/-460mA; 530mW Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.63/-0.46A Power dissipation: 0.53W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 700mΩ/1.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 736.6/622.4pC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10000 шт |
товар відсутній |
||
|
|
DMG1016VQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R |
товар відсутній |
|
 |
DMG1016VQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 530mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
товар відсутній |
|
 |
DMG1016VQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFET Comp Pair Enh FET 20Vdss 6Vgss |
товар відсутній |
|
| DMG1016VQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 630/-460mA; 530mW Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.63/-0.46A Power dissipation: 0.53W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 700mΩ/1.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 736.6/622.4pC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |