DMG1023UVQ-7 Diodes Incorporated


DMG1023UVQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG1023UVQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 530mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59pF @ 16V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-563, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMG1023UVQ-7 за ціною від 4.78 грн до 31.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG1023UVQ-7 DMG1023UVQ-7 Diodes Incorporated DMG1023UVQ.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.06 грн
18+17.75 грн
100+11.21 грн
500+7.86 грн
1000+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UVQ-7 DMG1023UVQ-7 Diodes Incorporated DMG1023UVQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 4921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.75 грн
17+19.17 грн
100+10.06 грн
500+7.88 грн
1000+6.89 грн
3000+5.20 грн
6000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UVQ-7 DMG1023UVQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.06 грн
18+17.75 грн
100+11.21 грн
500+7.86 грн
1000+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UVQ-7 DMG1023UVQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 4921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.75 грн
17+19.17 грн
100+10.06 грн
500+7.88 грн
1000+6.89 грн
3000+5.20 грн
6000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.