на замовлення 65003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG1026UV-7 Diodes Inc
Description: DIODES INC. - DMG1026UV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2, Anzahl der Pins: 6, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Produktpalette: -, Bauform - Transistor: SOT-563, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: 580, Drain-Source-Spannung Vds: 60, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60, Verlustleistung, p-Kanal: 580, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2, Dauer-Drainstrom Id: 410, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: 580, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції DMG1026UV-7 за ціною від 5.2 грн до 34.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG1026UV-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT563Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 580mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
на замовлення 588000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMG1026UV-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMG1026UV-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMG1026UV-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563 Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A On-state resistance: 1.8Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.58W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1A |
на замовлення 3723 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMG1026UV-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563 Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A On-state resistance: 1.8Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.58W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1A кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 3723 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMG1026UV-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1026UV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2 Anzahl der Pins: 6 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410 MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Produktpalette: - Bauform - Transistor: SOT-563 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 580 Drain-Source-Spannung Vds: 60 Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60 Verlustleistung, p-Kanal: 580 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60 Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2 Dauer-Drainstrom Id: 410 rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 580 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMG1026UV-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 580mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
на замовлення 588977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMG1026UV-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V,SOT563,3K |
на замовлення 164166 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMG1026UV-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1026UV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2 Anzahl der Pins: 6 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410 MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Produktpalette: - Bauform - Transistor: SOT-563 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 580 Drain-Source-Spannung Vds: 60 Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60 Verlustleistung, p-Kanal: 580 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60 Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2 Dauer-Drainstrom Id: 410 rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 580 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMG1026UV-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
DMG1026UV-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R |
товар відсутній |