DMG1026UV-7

DMG1026UV-7 Diodes Inc


207741061275938dmg1026uv.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 65003 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG1026UV-7 Diodes Inc

Description: DIODES INC. - DMG1026UV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 410mA, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 580mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 580mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMG1026UV-7 за ціною від 5.91 грн до 40.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG1026UV-7 DMG1026UV-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG1026UV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 580mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 942000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.19 грн
6000+8.06 грн
9000+7.65 грн
15000+6.75 грн
21000+6.50 грн
30000+6.25 грн
75000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UV-7 DMG1026UV-7 Виробник : DIODES INC. DMG1026UV.pdf Description: DIODES INC. - DMG1026UV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 580mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 580mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.11 грн
500+9.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UV-7 DMG1026UV-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1026uv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.33 грн
6000+10.68 грн
9000+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UV-7 DMG1026UV-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1026uv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UV-7 DMG1026UV-7 Виробник : DIODES INC. DMG1026UV.pdf Description: DIODES INC. - DMG1026UV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 580mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 580mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+31.55 грн
50+21.04 грн
100+11.11 грн
500+9.77 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UV-7 DMG1026UV-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG1026UV.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SOT563
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 1.8Ω
Power dissipation: 0.58W
Pulsed drain current: 1A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+33.93 грн
19+21.66 грн
50+15.20 грн
100+13.00 грн
132+7.01 грн
362+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UV-7 DMG1026UV-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG1026UV.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V,SOT563,3K
на замовлення 128422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+34.40 грн
16+23.13 грн
100+12.63 грн
500+10.96 грн
1000+9.15 грн
3000+6.81 грн
6000+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UV-7 DMG1026UV-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG1026UV.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SOT563
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 1.8Ω
Power dissipation: 0.58W
Pulsed drain current: 1A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 823 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.72 грн
11+26.99 грн
50+18.24 грн
100+15.60 грн
132+8.41 грн
362+7.94 грн
6000+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UV-7 DMG1026UV-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG1026UV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 580mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 944113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.90 грн
13+24.34 грн
100+15.49 грн
500+10.95 грн
1000+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UV-7 Виробник : DIODES/ZETEX DMG1026UV.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,1Ohm; 440mA; 580mW; -55°C ~ 150°C; DMG1026UV-7 TDMG1026UV-7 Diodes
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UV-7 DMG1026UV-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1026uv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UV-7 DMG1026UV-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1026uv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.