DMG1026UV-7 DIODES/ZETEX
Виробник: DIODES/ZETEX
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,1Ohm; 440mA; 580mW; -55°C ~ 150°C; DMG1026UV-7 TDMG1026UV-7 Diodes
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG1026UV-7 DIODES/ZETEX
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 580mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-563, Part Status: Active.
Інші пропозиції DMG1026UV-7 за ціною від 5.04 грн до 44.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG1026UV-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 580mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
на замовлення 888000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG1026UV-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.58W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 683 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG1026UV-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 580mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
на замовлення 890713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG1026UV-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V,SOT563,3K |
на замовлення 61780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|